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엘피다 30nm 4GB DDR3 대량생산 내년 1분기부터

2010-12-22 12:14
권경욱 前 기자 viper2님의 미디어로그 가기 press@bodnara.co.kr

엘피다 메모리 (Elpida Memory)는 30nm 공정이 적용된 4GB DDR3 SO-DIMM (EBJ41UF8BDSO)의 개발이 완료되어 샘플 선적을 시작했고 내년 초부터는 대량생산에 들어갈 것이라는 소식이다.

 

 

엘피다는 16개의 2Gb DDR3 칩으로 구성된 4GB DDR3 SO-DIMM을  30nm 공정을 적용하여 개발했으며, 샘플 선적이 시작되었고 2011년 1분기에 대량생산을 시작할 것이라고 tcamgazine은 전했다.

 

30nm 공정이 적용되는 엘피다의 4GB DDR3 SO-DIMM은 40nm 공정 제품과 비교해 동작시 20% 낮은 전류와 대기전류를 30% 줄이는 등의 효과를 얻을 수 있었으며, 트북과 넷북, 타블렛 PC, 다른 휴대용 기기들에 사용시 기존보다 개선된 배터리 성능을 제공할 것으로 알려지고 있다. 또한, 이 메모리는 최대 1866MHz로 동작이 가능해 이를 적용한 컴퓨터 장치들에서 고성능을 이끌어낼 수 있을 것으로 예상되고 있다.

 
이 기사의 의견 보기
팝맨 / 10-12-22 18:03/ 신고
휴대용 제품의 성능이 더욱 좋아지겠네요. 지금 PC용 램값이 상당히 하락한 가운데 가격이 궁금하네요.
마프티 psywind님의 미디어로그 가기  / 10-12-22 19:27/ 신고
놋북도 램 용량이 장난 아니게 커지겠네요
설레임 kkp61님의 미디어로그 가기  / 10-12-22 21:02/ 신고
30nm되면 가격이 떨어질까나여? 오히려 더 오를것 같은 느낌도..
허접프로그래머 valkyrie님의 미디어로그 가기  / 10-12-23 0:22/ 신고
엘피다에서도 30나노 공정의 메모리나 나오고 있었군요...;
끓여만든배 / 10-12-23 2:50/ 신고
생산비용면에서 유리해지겠네요.
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