램버스, 최대 20Gbps 속도 메모리 시그널링 기술 발표 |
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2011-02-11 11:23
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr |
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램버스(Rambus)에서 SoC와 메모리 사이에 최대 20Gbps의 속도를 지원하는 새로운 메모리 시그널링 기술을 발표했다.
램버스는 지난 2월 3일까지 열린 '디자인콘(DesignCon 2011)'에서 SoC-메모리 인터페이스에 대한 차동 시그널링을 20Gbps까지 대폭 끌어올리고, 싱글-엔디드 메모리 시그널링은 12.8Gbps까지 확장할 수 있는 메모리 시그널링 기술을 시연했다고 밝혔다.
램버스는 자사의 '테라바이트 대역폭 이니셔티브(TBI)' 기술 혁신을 통해 GDDR5 및 DDR3와 같은 싱글-엔디드 메모리 아키텍처에 탁월한 전력 효율 및 호환성을 구현할 수 있도록 했다고 설명했다. TSMC 40nm 공정 기술로 만든 테스트 제품을 통해 20Gbps로 작동시 Gps당 6mW의 전력 효율을 달성한 것으로 알려졌다.
또한 플렉스모드(FlexMode) 인터페이스 기술을 새롭게 통합해 핀을 추가하지 않고도 단일 SoC 패키지에서 차동 시그널링과 싱글-엔디드 시그널링을 모두 지원할 수 있게 되었다고 언급했다.
램버스는 최근 실사 수준의 게임 및 3D 이미지가 등장하면서 시스템 및 메모리 요구 사항도 지속적으로 늘어났다고 언급하면서, 오늘날의 첨단 그래픽 프로세서는 128GB/s에 이르는 메모리 대역폭을 지원하며 미래 세대 제품에서는 메모리 대역폭이 1TB/s를 초과할 것으로 전망했다.
그리고 자사의 TBI가 게임, 그래픽 및 멀티코어 컴퓨팅 애플리케이션을 위한 향상된 성능, 보다 높은 확장 가능한 데이터 대역폭, 면적 최적화, 개선된 신호 무결성 및 멀티모드 기능을 제공하는 미래의 메모리 아키텍처를 위한 토대가 될 것이라고 밝혔다.
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