삼성전자, 8배 빨라진 차세대 WIDE IO 모바일 D램 개발 |
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2011-02-21 11:13
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr |
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삼성전자가 기존 모바일 D램보다 8배 빠른 차세대 'WIDE IO(와이드 아이오) 모바일 D램'을 개발했다고 발표했다.
이번에 개발한 WIDE IO 모바일 D램은 50나노급 공정을 적용한 1Gb 제품으로, 기존 모바일 D램(MDDR)의 데이터 전송속도인 1.6GB/s보다 8배나 빠른 12.8GB/s의 데이터 속도를 갖춘 것으로 알려졌다. 이는 1초에 DVD급 영화 2편, 음악파일 3200곡을 전송할 수 있는 속도다.
WIDE IO 모바일 D램은 데이터 입출력 핀 수를 기존 모바일 D램의 32개보다 16배 많은 512개로 늘려 초당 데이터 전송속도를 증가시키는 동시에 소비전력도 87% 가량 절감했다.
삼성전자는 지난 해 12월 업계 처음으로 4Gb LP(Low Power) DDR2 모바일 D램을 개발한 데 이어, 이번 WIDE IO 모바일 D램을 개발함으로써 스마트폰 및 타블렛 고객에게 더욱 차별화된 친환경 모바일 솔루션을 제공할 수 있게 되었다고 언급했다.
또한 이번에 개발된 WIDE IO 모바일 D램을 기반으로 주요 고객과 개발 단계부터 협력을 강화해 2013년부터는 20나노급 미세공정을 적용한 4Gb 제품을 본격 공급할 계획이라고 덧붙였다.
삼성전자 반도체사업부 전략마케팅팀 소병세 전무는 "초고속 ‘WIDE IO 모바일 D램’을 사용해 고객들이 더욱 성능을 높인 그린 모바일 기기를 개발할 수 있도록 할 것"이라 말하고 "향후에도 대용량 고성능의 모바일향 그린 메모리 제품을 지속 개발해 모바일 시장의 성장을 견인해 나갈 것"이라고 밝혔다.
한편, 삼성전자는 이 달 20일부터 24일까지 미국 샌프란시스코에서 열리는 세계 3대 반도체 학회 중 하나인 국제반도체학술회의(ISSCC)에서 WIDE IO 모바일 D램 기술 논문을 소개한다.
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