하이닉스, 차세대 DDR4 D램 개발 |
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2011-04-04 10:10
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr |
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하이닉스반도체(이하 하이닉스)에서 차세대 DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다.
하이닉스는 4일 보도자료를 통해 국제 반도체 표준 협의기구(JEDEC) 규격을 적용한 30나노급 2기가비트(Gb) 차세대 DDR4 D램을 개발했으며, 이를 사용해 초소형 서버 등에 사용되는 2기가바이트(GB) ECC-SODIMM도 개발을 완료했다고 발표했다.
이번에 개발된 DDR4 D램은 1.2V 저전압에서 업계 최초 2400Mbps 초고속 데이터 전송속도를 구현해 기존 DDR3 1333Mbps 제품대비 처리속도가 80% 가량 향상됐다. 따라서 DDR4 D램을 사용한 ECC-SODIMM의 경우 DVD급 영화 4~5편에 해당하는 19.2GB의 데이터를 1초에 처리할 수 있다.
또한 D램의 동작온도 및 명령신호 전송상태에 따라 능동적으로 소비전류를 감소시키는 신규 회로 기술을 적용해 1.5V DDR3 D램 대비 50% 가량 전력소모가 줄어들었다.
하이닉스 마케팅본부장 김지범 전무는 "이번에 개발된 DDR4 제품은 고객이 요구하는 친환경·저전력·고성능 특성을 모두 만족시켰다"면서, "이를 통해 기존 PC 및 서버 시장은 물론 급속도로 성장하고 있는 태블릿 시장에서도 경쟁력 있는 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것"이라고 밝혔다.
하이닉스는 업계 선두 수준인 DDR4 제품 개발을 통해 차세대 기술을 확보하고 향후 DDR4 표준화를 주도한다는 방침이며, 내년 하반기부터 DDR4 D램을 양산할 계획이다.
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