인텔, 낸드 플래시 생산에 20nm 공정 도입 |
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2011-04-15 10:54
이상호 기자 ghostlee@bodnara.co.kr |
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인텔과 마이크론(Intel Micron Flash Technologies (IMFT))은 낸드 플래시 메모리를 위한 20nm 미세 공정을 도입했다고 공식 발표했다.
34nm공정 32Gb(4GB) 2개와 25nm, 20nm 공정의 64Gb(8GB) 다이
새로운 20nm 공정으로 생상되는 최초의 낸드 플래시는 다이크기 118mm2 의 8GB의 MLC로 기존 공정의 제품보다 30%~40% 가량 크기가 줄었으며, 이는 기존에 비해 같은 면적에 약 50% 가량 더 많은 저장 공간을 제공할 수 있음을 의미한다.
다이크기 118mm2인 20nm 64Gb(8GB) 낸드 플래시
현재 20nm 8GB 낸드 플래시는 샘플링 중으로 대량 생산은 2011년 하반기 중에 가능할 것으로 전망하고 있으며, 대량 생산이 가능해질 것으로 예상되는 시점에는 16GB의 샘플 역시 공개할 수 있을 것으로 예상하고 있다. |
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