삼성전자, 플래시 메모리 100만배 내구성 갖춘 RRAM 기술 개발 |
|
2011-07-12 11:13
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr |
|
|
|
|
|
|
삼성전자가 차세대 메모리로 각광받고 있는 RRAM(Resistive Random Access Memory, 저항변화형 메모리)의 쓰기-지우기 내구성과 속도 등을 대폭 향상시킬 수 있는 기술 개발에 성공했다.
삼성전자는 보도자료를 통해 이번에 개발한 RRAM 기술은 쓰기-지우기 동작을 기존 플래시 메모리의 100만배에 이르는 1조번을 반복할 수 있는 내구성을 확보했으며 업계의 뜨거운 관심을 모을 것이라고 밝혔다.
삼성전자는 RRAM의 저항변화 물질로 산화탄탈륨(Ta2O5)을 사용, 산소 함량이 다른 산화탄탈륨 Ta2O5-x와 TaO2-x의 2중층으로 나눠 전류를 흘려 주는 필라멘트를 Ta2O5-x의 한 층에만 분포되도록 했으며, 필라멘트의 분포를 제어하는 RRAM 신기술 개발을 통해 쓰기-지우기 동작을 1조번 반복할 수 있는 우수한 내구성을 확보하는 것은 물론, 전류량도 감소할 수 있게 됐다고 설명했다.
또한, 트랜지스터와 레지스터(Resistor)를 각각 1개씩 구성하는 1T1R(1 Transistor 1 Resistor)의 기존 RRAM 구조를 별도의 트랜지스터가 필요없는 구조로 바꿔 메모리 용량을 늘릴 수 있는 가능성도 제시했다.
삼성전자의 이번 연구 결과는 영국에서 발간하는 세계적 권위의 학술지 '네이처 머티어리얼즈(Nature Materials)' 인터넷판(10일자)에 '산화탄탈륨(Ta2O5-x/ TaO2-x)의 비대칭 2중층 구조로 빠른 전환, 고내구성의 고용량 RRAM 구현'이라는 제목으로 게재됐다. |
|
|
|
|
|
|
보드나라 많이 본 뉴스
레노버 노트북 워크스테이션에 마이크론 LPCAMM2 채택
인텔 애로우 레이크-S, 'K'보다 높은 넘버링의 'Non-K' 모델이?
소니 엑스페리아 1 VI 예상 스펙 등장? 향상된 카메라 기능 중점
|
보드나라 최신 뉴스
보다 일관되고 사실적 HDR 경험, VESA DisplayHDR 1.2 규격 발표
AMD CPU 시장 점유율 증가, 서버 시장 매출 33% 달성
AI 가속기 탑재된 AMD 차세대 라이젠 스트릭스 포인트, 이름만 보면 안다?
SK하이닉스, 차세대 모바일 낸드 솔루션 'ZUFS 4.0' 개발
미디어텍, 플래그십 스마트폰용 디멘시티 9300+ 발표
|
|
|
보드나라 많이 본 기사
비즈니스 노트북 중 끝판왕 성능의 노트북,MSI 모던 14 H D13MG-i9
데스크탑 PC를 Wi-Fi 6E로 업그레이드, ipTIME AX5400PX-6E
레이트레이싱과 DLSS를 위한 새로운 막내, GAINWARD 지포스 RTX 3050 페가수스 6GB
|
보드나라 최신 기사
기가비트 유선 및 Wi-Fi 6 무선을 합리적인 비용으로, ipTIME AX1500SR
최고의 사양으로 쾌적한 환경을 원한다면,MSI 라이더 18 HX A14VIG
애플 M4 칩 탑재 아이패드 프로 발표, M2 아이패드 에어와 애플 펜슬 프로도 출시
|
|
| 로그인 | 이 페이지의 PC버전 |
|
| Copyright NexGen Research Corp. 2010 |
|
