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삼성전자, 플래시 메모리 100만배 내구성 갖춘 RRAM 기술 개발

2011-07-12 11:13
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr

삼성전자가 차세대 메모리로 각광받고 있는 RRAM(Resistive Random Access Memory, 저항변화형 메모리)의 쓰기-지우기 내구성과 속도 등을 대폭 향상시킬 수 있는 기술 개발에 성공했다.

 

삼성전자는 보도자료를 통해 이번에 개발한 RRAM 기술은 쓰기-지우기 동작을 기존 플래시 메모리의 100만배에 이르는 1조번을 반복할 수 있는 내구성을 확보했으며 업계의 뜨거운 관심을 모을 것이라고 밝혔다.

 

삼성전자는 RRAM의 저항변화 물질로 산화탄탈륨(Ta2O5)을 사용, 산소 함량이 다른 산화탄탈륨 Ta2O5-x와 TaO2-x의 2중층으로 나눠 전류를 흘려 주는 필라멘트를 Ta2O5-x의 한 층에만 분포되도록 했으며, 필라멘트의 분포를 제어하는 RRAM 신기술 개발을 통해 쓰기-지우기 동작을 1조번 반복할 수 있는 우수한 내구성을 확보하는 것은 물론, 전류량도 감소할 수 있게 됐다고 설명했다.

 

또한, 트랜지스터와 레지스터(Resistor)를 각각 1개씩 구성하는 1T1R(1 Transistor 1 Resistor)의 기존 RRAM 구조를 별도의 트랜지스터가 필요없는 구조로 바꿔 메모리 용량을 늘릴 수 있는 가능성도 제시했다.

 

삼성전자의 이번 연구 결과는 영국에서 발간하는 세계적 권위의 학술지 '네이처 머티어리얼즈(Nature Materials)' 인터넷판(10일자)에 '산화탄탈륨(Ta2O5-x/ TaO2-x)의 비대칭 2중층 구조로 빠른 전환, 고내구성의 고용량 RRAM 구현'이라는 제목으로 게재됐다.

이 기사의 의견 보기
대나라 / 11-07-12 13:29/ 신고
몇 기가의 용량에 몇 년의 내구성이 될까요?^^*
메모리 분야에도 일대 혁신이 예고 되는 것일까요?

암튼 우리나라 기업의 이러한 뉴스는 뭐든 반가운 소식이겠죠~^^*
처리 / 11-07-12 16:11/ 신고
상용화하려면...5년은 걸릴듯
처런 ohloveajk님의 미디어로그 가기  / 11-07-12 16:46/ 신고
내구성에 저전력,속도 그리고 용량까지 늘릴수 있다니
일석사조 이상이겠군요. 대단하네요.
마프티 psywind님의 미디어로그 가기  / 11-07-12 20:00/ 신고
ㅎㅎ 이건 또 언제 상용화되려나
Meho ho5945님의 미디어로그 가기  / 11-07-12 21:23/ 신고
어마어마하네요... 딱 제곱배인가;;
하누리 / 11-07-12 21:24/ 신고
역시 반도체는 삼성이군요...
짜야~ mylovejcw님의 미디어로그 가기  / 11-07-13 6:20/ 신고
그야말로 신 기 술 이네요
꿀바다 mahyung님의 미디어로그 가기  / 11-07-13 6:55/ 신고
삼성 무섭네요~ ;;;
허접프로그래머 valkyrie님의 미디어로그 가기  / 11-07-13 15:36/ 신고
대단하네요. 기존 SSD들의 단점이라고 할 수 있는 내구성 문제가 한두배 차이도 아니고 백만배 차이라니... 거기다 전환속도가 빠르다는 것은 쓰기 속도가 더 빨라진다는 의미니 더 대단합니다.
영남유지 / 11-07-14 13:42/ 신고
wear leveling 자체가 필요 없을 것 같네요
끓여만든배 / 11-07-14 20:35/ 신고
상용화만 빨리 된다면 타업체보다 비싼 가격에 낸드 플래시 메모리를 팔 수 있겠군요.
푸기기 serebei님의 미디어로그 가기  / 11-07-16 11:15/ 신고
100...100만배. 지구가 멸망할때까지 써버렷...!!
쯩교 y20303님의 미디어로그 가기  / 11-07-17 20:40/ 신고
무서운 내구성이네요 어떤 제품으로 다가올지 사뭇 긴장이..ㅋ
슬래쉬 / 11-07-19 0:24/ 신고
1조번 후덜덜하네요.
프리스트 rubychan님의 미디어로그 가기  / 11-07-19 10:16/ 신고
차세대 메모리 소식은 몇년전부터 들리고 있지만..
PowerPC cherrysia님의 미디어로그 가기  / 11-07-19 10:36/ 신고
플래시 메모리의 100만배 내구성이라니 정말 기대됩니다
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