내년에는 DDR3 메모리를 대체할 DDR4 메모리 규격과 제품이 등장할 것으로 예상되는 가운데 DDR4 메모리 표준 규격의 내용이 공개되었다는 소식이다.
공식적으로 DDR4 메모리 표준은 2012년 중반 발표될 것으로 예상되고 있으며, 이 새로운 메모리 표준의 메모리 동작 전압과 주파수 등의 내용이 공개되었다고 expreview는 전했다.
JEDEC SSTA (Solid State Technology Association)은 최근 DDR4 메모리 표준의 세부 사항에 대해 언급했고 그 주요 내용을 보면 DDR4 메모리는 기본 1600MHz에서 최대 3200MHz로 향상되어 동작된다.
핀당 데이터 전송률도 DDR3가 1.6GT/s였는데 최대 3.2GT/s로 늘어나며, 데이터 버스를 위한 새로운 CRC, 전력효율을 높이는 DBI, 클럭과 스트로보를 위한 차등 신호, x4/ x8/ x16의 Three Data Width 등이 포함된다.
동작전압은 1.05V- 1.2V 사이로 DDR3의 1.2V-1.5V보다 낮아지며, VDD 전압과 I/O 전압 역시 DDR3 메모리보다 줄어들어 전력소모량도 감소될 것으로 알려져 있다.
또한, DDR4 메모리는 30나노급 (30nm) 공정이 적용될 것으로 예상되며, 고용량 달성을 위해 TSV (Trough-silicon via) 또는 3D stacking 공정 등도 도입될 것으로 전망된다.
현재 삼성전자와 하이닉스 (Hynix)는 DDR4 메모리 테스트 제품 개발에 성공한 것으로 알려져 있으며, 아직은 상업적 이용이 어려우나 내년부터 등장이 예상된다고 전했다.
DDR3 메모리는 2012년과 2013년까지 메인스트림 시장을 유지할 것으로 알려져 있으며, DDR4 메모리는 2012년 등장하더라도 이를 지원할 수 있는 CPU와 메인보드가 없어 당분간은 시장에 큰 영향을 주기는 어렵다.
DDR4 메모리는 2013년 5%, 2015년 50%의 시장을 형성할 것으로 전망되고 있어 적어도 2015년이 되어야 DDR3를 제치고 보편적인 메모리가 될 것으로 예상된다. |
