램버스의 DDR 메모리 관련 특허는 무효 |
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2012-01-30 11:10
이상호 기자 ghostlee@bodnara.co.kr |
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램버스社가 일명 Barth 패밀리 특허라 불리는 DDR 메모리 관련 특허에 관해 무효 판정을 받았다.
현지 시간 27일 로이터 통신에 따르면, 미 특허청은 DDR/ DDR2/ DDR3와 모마일 DDR/ LPDDR/ LPDDR3와 GDDR3관련 내용을 포함한 Barth 중 2종에 대해서 2011년 9월에 무효 판결을, 추가 특허에 대해 2012년 1월 24일 무효 판결을 내리면서 최종적으로 모든 Barth 특허에 대해 무효 판결을 내렸다.
이번 판결에 대해 램버스에서는 항소할 수 있으나 대변인인 Linda Ashmore는 차후 대응 방침을 고려중이라고만 언급해 차후 대응이 주목된다.
한편, 램버스는 이미 하이닉스와 마이크론을 상대로 제기한 Barth 특허 관련 소송에서 패소한 바 있다. |
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