인텔은 기존 32nm 및 앞으로 출시 예정인 22nm 공정보다 미세한 공정인 14nm를 위한 Fab의 건설을 시작했다고 nordichardware는 전했다.
인텔이 계획하고 있는 14nm Fab은 인텔이 지금까지 만들어온 다른 Fab과 비교해 가장 많은 비용과 진보된 기술이 적용될 것으로 알려졌으며, 인텔은 약 2년 전 리테일에 14nm 공정 및 프로세서와 반도체 생산에 대해 언급했고 Fab 42를 지을 것이라고 언급한 바 있다.
14nm 공정을 적용할 Fab 42는 기존 300mm 웨이퍼보다 125%가 더 커진 450mm 웨이퍼 (Wafers)를 본격적으로 도입할 것으로 알려져 있으며, 450 웨이퍼 적용에 따라 생산 비용 감소 등이 가능해질 것으로 예상된다.
Fab 42 건설에 인텔은 50억 달러 (5 billion) 이상의 비용을 투입할 것으로 알려져 있으며, 오레곤주 힐스브로 (Hillsbro, Oregon)에 위치한 Fab D1X과 같은 컨셉의 공장이 될 것이라고 전했다.
D1X는 인텔이 내부의 온도와 공기 품질을 최상으로 만들었고 모듈러 Fab으로 제조 및 연구, 개발 시설이 위치하며, 각 시설은 개별로 분리되었다. 이 방식은 전체 Fab을 중단하지 않아도 요구에 따른 업그레이드가 보다 용이해진다.
Fab 42에서는 2013년부터 생산 시작, 14nm 제품은 2014년 하반기부터 출하가 시작될 것으로 예상된다.
14nm 공정을 처음 적용할 프로세서는 브로드웰 (Broadwell)로 2013년 출시 예정인 22nm 하스웰 (Haswell)의 후속 제품이다. 브로드웰은 하스웰에서 한발 더 나아가 메인보드에서 지원하는 대부분의 기능도 프로세서에 모두 내장할 계획인 것으로 알려졌다.
또한 아톰 (Atom) 프로세서인 코드명 에어몬트 (Airmont)에도 새로운 아키텍처와 함께 14nm 공정이 적용되며, 22nm 실버몬트 (Silvermont)를 대체한다.
인텔과 AMD는 현재 32nm 공정을 적용하고 있으며, 인텔이 AMD에 앞서 올해 4월 22nm 공정을 적용한 아이비브릿지를 본격적으로 출시하는데 14nm 공정은 다이 사이즈 및 생산 비용 등의 거의 대부분에서 기존 공정보다 향상이 이루어질 것으로 알려졌다.
인텔과 경쟁 위치에 있는 글로벌파운드리 (GlobalFoundries) 역시 차기 14nm 공정을 파트너사인 IBM 등과 협력하여 개발할 계획이며, 게이트 퍼스트 (Gate-First) High-K Metal Gate (HKMG) 공정 기술을 지속해나갈 것으로 알려졌다. |
