파나소닉(Panasonic)에서 고속, 대용량화에 적합한 크로스포인트형 ReRAM(Resistive RAM)를 개발했다고 발표했다.
ReRAM은 저전압에서 고속 다시쓰기와 읽기가 가능한 비휘발성 메모리로 차세대 메모리 유력 제품군에 꼽히고 있다. 현재 비휘발성 메모리 주력 제품인 낸드 플래시(NAND FLASH)는 대용량이지만 쓰기 속도가 느리고, 기존의 1T1R 방식 ReRAM은 200MB/s의 고속 전송 속도를 가졌지만 대용량화에 어려움이 있었다.
이번에 파나소닉이 개발한 ReRAM은 2층 크로스포인트 구조에 0.18μm 공정을 사용했으며 8Mbit 기억용량과 443MB/s의 쓰기 속도를 지원해 기존 1T1R ReRAM의 단점으로 지적되면 쓰기 속도 지연과 낮은 용량 문제를 해결했다.
파나소닉에 따르면 크로스포인트형 ReRAM은 배선이 교차하는 곳에 ReRAM 소자를 배치한 1bit 구성 크로스포인트형 ReRAM으로 트랜지스터와 ReRAM 소자를 결합해, 기존의 1T1R 방식 ReRAM에 비해 트랜지스터가 필요하지 않아 셀 크기를 1/4로 줄일 수 있다고 한다.
특히 메모리 셀의 다층 구조를 실현해 적층이 가능하며, 2층 크로스포인트에서 약 10배 이상, 4층 크로스포인트에서 약 16배의 고밀도화가 가능하다.
파나소닉은 새로 개발한 ReRAM에는 다층 크로스포인트형 ReRAM 기술 외에도 새로 개발한 양방향 다이오드 기술, 메모리 액세스 시 누설 전류를 1/10000 이하로 줄인 계층 비트 라인 방식 크로스포인트 구조와 다중 비트 동시 쓰기 방식 등의 기술이 적용되었다고 설명했다.
이번 결과는 22일부터 미국 샌프란시스코에서 열린 ISSCC2012에서 발표된 것으로 알려졌다. |
