삼성전자와 SK 하이닉스, 20nm 공정 도입 가속화 및 모바일과 서버 메모리에 집중

2012-10-24 11:28
권경욱 前 기자

press@bodnara.co.kr

대만 디지타임즈 (Digitimes)는 삼성전자와 SK 하이닉스 (SK Hynix) 양사가 20nm 공정 이전을 가속화하고 있다고 전했다.

양사는 2012년 20nm 공정 노드를 DRAM 칩에 적용해 양산을 시작했으며, 30nm 공정을 대체할 새로운 20nm 공정은 2013년 하반기 메인스트림 공정으로 자리잡을 것으로 예상했다.

삼성전자와 SK 하이닉스는 PC DRAM 시장의 DRAM 칩 과잉공급의 영향에 따라 PC 메모리 중심에서 탈피하고 있으며, 20nm 공정 초기에는 모바일 장치와 서버 애플리케이션을 위한 4Gb 칩에 타겟을 두고 있다고 전했다.

마이크론 (Micron Technology)과 난야 (Nanya Technology), Inotera Memories 3사는 DRAM 제조 공정이 현재 30nm 공정으로의 이전에 힘쏟고 있어 삼성전자와 SK 하이닉스에 공정 경쟁에서는 거리를 두고 있다. 이들 메모리 제조사 역시 수익성이 낮은 PC DRAM보다는 모바일 DRAM과 서버 메모리 칩 시장에 보다 집중할 것으로 알려졌다.

대만의 Inotera는 마이크론 DRAM 칩 생산을 위한 자회사이며, 마이크론은 엘피다 (Elpida Memory) 메모리를 인수합병한 바 있다. Inotera 메모리는 2013년 중반 30nm 공정 이전을 완료할 계획을 하고 있으며, 매달 12인치 웨이퍼 4만장을 생산 가능할 것으로 예상했다.

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