Everspin Technologies社는 표준 DDR3와 호환되는 고성능 Spin-Torque Magnetoresistive RAM(ST-MRAM)을 상용화 한다고 밝혔다.
ST-MRAM은 오늘날의 일반 비휘발성 메모리와 차세대 스토리지 시스템을 위한 비휘발성 메모리의 가교 역할을 할 고성능 스토리지 클래스에 최적화된 제품으로, 에버스핀사에서 상용화한 64Mb 모델인 EMD3D064M 64Mb DDR3 ST-MRAM은 현재 샘플 제공이 가능하며, 차후 용량을 기가비트 단위로 확대할 계획이다.
에버스핀社에서 발표한 ST-MRAM 64Mb 모듈은 JEDEC DDR3 표준과 호환되며, 동작 속도는 DDR3 1600MT에 3.2GB/s 대역폭, 동작 전압은 1.5V ± 0.075V로 동작하며, 표준 WBGA 패키지 형태로 제조된다.
표준 DDR3 규격과 호환되므로 표준 DDR3 DIMM 형태 구성이나 SSD와 같은 스토리지 시스템 적용이 가능해 현재의 DDR3 시스템에서 큰 변화없이 사용 가능한 것이 특징으로, 추가적인 규격 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화할 수 있다.
기존의 MRAM은 자기 필드를 일으켜 데이터를 기록했지만 ST-MRAM은 극성 변화를 이용해 데이터를 기록하기 때문에 용량 확대와 성능에 유리하며, 현재 낸드 플래시 SSD와 비교해 ST-MRAM SSD는 약 10배의 가격대 성능비와 100배의 전력대 성능비를 보이는 것으로 소개하고 있다.
MRAM은 에버스핀社는 현재 동작 가능한 샘플의 출하를 시작했으며, 실제 제품은 2013년 출하가 가능할 것으로 점쳐지고 있다. |
