비휘발성 메모리도 3D 시대? 삼성전자 3D ReRAM 기술 개발

2012-12-14 12:32
이상호 기자 ghostlee@bodnara.co.kr

삼성전자에서 MRAM, PRAM등과 함께 차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있는 ReRAM(Resistive RAM)의 용량 확대를 위한 새로운 기술을 개발했다는 소식이 전해졌다.

크로스 포인트 ReRAM(좌) / VRRAM(우)

소식을 전한 tech-on에 따르면 삼성전자에서 개발한 이번 기술은 3D 기술을 응용해 Vertical ReRAM(VRRAM)이라고 불리며, 재기록에 필요한 전류를 1㎂까지 줄여 선택된 셀에 인접한 셀에 간섭을 방지하고, 비선형 전류-전압 특성을 갖는다고 밝혔다.

1000만회 이상의 재기록이 가능한 VRRAM은 단일 공정에서 메모리 셀들을 쌓아올리는 방식을 채택해 크로스 포인트 ReRAM대비 비용을 줄일 수 있는 것으로 알려졌으며, 기존 ReRAM 대비 대용량 구현이 가능하다.

이 기사의 의견 보기

마프티

/ 12-12-14 13:52/ 신고

언제쯤 양산화될까요 ㅎㅎ 정말 기대됩니다

Exynos / 12-12-14 21:08/ 신고

드디어 메모리들이 여러가지를 많이 사용하는군요 과연 어떻게 나올지 ㅋㅋ

Meho

/ 12-12-14 23:38/ 신고

역시 3D가 대세 -_-ㅋ 기사화 되는 시점이면 실제 기술이 완성되고 몇 달 후인 경우가 많으니 그동안 어느정도 개선 했겠네요. 얼른 완제품 나와서 성능이나 전력 정보같은걸 보고싶습니닷!

꾸냥 / 12-12-17 0:18/ 신고

이제는 영상 뿐 아니라 저장장치도 3D가 대세가 되는건가요?

프리스트

/ 12-12-21 11:00/ 신고

이제야 기술 개발했으니 양산하려면 멀고 먼..

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