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MMRAM의 에너지 효율 1000배, 용량 5배 이상 향상 가능한 신기술 발표

2012-12-26 11:28
이상호 기자 ghostlee@bodnara.co.kr

UCLA 연구진들이 MRAM의 동작 전압과 용량을 개선시킬 새로운 기술을 발견했다고 밝혔다.

 

 

 

현재 MRAM에는 전자의 회전에 의해 발생하는 자기장 효과를 이용한 STT(spin-transfer torque) 기술이 사용되고 있는데, 이 과정에서 발열과 이로 인한 인접 셀 간섭 문제로 용량 확보에 어려움을 겪고 있는 것으로 알려졌다.

 

반면, UCLA에서 공개한 기술은 전자의 이동에 전류를 이용하는 방식 대신 전압을 사용해 STT 방식 대비 최소 10배에서 최대 1000배까지 에너지 효율을 높이고, 발열을 줄여 저장용량은 5배 이상 높일 수 있는 것으로 소개하고 있다.

 

이번 기술은 2012 IEEE International Electron Devices Meeting에서 'Voltage-Indeced Switching of Nanoscale Magnetic Tunnel Junctions'이라는 논문으로 공개되었으며, 자세한 내용은 UCLA 홈페이지에서 확인할 수 있다.
이 기사의 의견 보기
마프티 psywind님의 미디어로그 가기  / 12-12-26 11:57/ 신고
역시 연구실에서 나도는 내용은 넘사벽이야...
게리킬달추종자 / 12-12-26 14:53/ 신고
본문 글을 읽어보니 전류를 이용하는 방법을 전압을 이용하는 방법으로 전환한게 맞는 것 같습니다.
허접프로그래머 valkyrie님의 미디어로그 가기  / 12-12-26 15:51/ 신고
호오... 전류를 전압으로 바꾸는 것 만으로도 효율이 상당히 좋아지는군요.
Exynos / 12-12-26 17:16/ 신고
메모리쪽 한계가 많이 보인다 말이많았는대 대체메모리로 다들 대체해나가는것 같네요 ㅎ
Meho ho5945님의 미디어로그 가기  / 12-12-26 21:10/ 신고
우와... 무슨 말인진 모르겠지만 신기합니다. 역시 신기술이란!
프리스트 rubychan님의 미디어로그 가기  / 13-01-02 9:41/ 신고
기사는 종종 나오는데 상용화는 언제 할텐가..
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