파운드리 산업의 경쟁 및 시장 확장에 따라 TSMC를 비롯한 파운드리 업체들은 미세공정과 이를 적용할 Fab의 투자를 확장하고 있는 가운데 TSMC는 450mm 웨이퍼를 생산할 Fab의 건설을 계획 중이라는 소식이다.
TSMC는 첫 450mm 웨이퍼 Fab을 CTSP (대만 중앙과학단지Central Taiwan Science Park)에 건설할 계획이며 그 시기로는 2014년 1분기로 보고 있다.
그러나 TSMC의 450mm Fab 건설은 여러 문제에 봉착하고 있는 것으로 알려졌다. 그 중에서도 그 지역의 환경 운동가들은 불법적인 하수 및 공기 오염과 소음 등을 비롯한 환경 오염을 우려하고 있어 적합성 판정이 이루어져야 건설이 본격적으로 시작 가능할 것으로 예상된다.
반도체 Fab의 건설은 공기 오염을 크게 일으키지 않는 것으로 알려졌으나 엄청난 양의 에너지와 물이 사용되며 이는 반도체 생산 후 오염 물질이 발생될 수 있는 만큼 환경 운동가들은 이의 처리에 대한 문제를 지적하고 있다.
TSMC는 이에 따라 450mm Fab 건설 시작을 예상하는 2014년 1분기 이전인 2013년 말까지 당국 관계자의 건설에 대한 환경 및 건강상 위험의 적합성 평가를 진행할 계획인 것으로 알려졌다.
또한 TSMC는 450mm Fab의 모든 세부 사항을 여전히 결정하지 않았으며 양산을 위한 생산 장비 준비와 다른 장비 설정 등도 고려하고 있는 것으로 알려졌다.
TSMC는 450mm 반도체 시설이 위치할 부지와 생산 시설 및 장비를 위해 약 1백 37억 달러를 투자할 계획이다. 업계 관계자는 부지 매입에 2억 3천 2백만 달러 투자, 그리고 이에 따라 7000명의 일자리 창출, 그리고 2019년까지 68억 달러의 수익을 거둘 수 있을 것으로 전망했다. |
