인텔 하스웰 (Haswell)은 베이스 클럭 (BCLK) 및 높은 메모리 클럭 적용이 가능할 것으로 알려진 가운데 해외의 한 오버클럭커가 DDR3 메모리 클럭 4GHz를 달성했다는 소식이다.
현재 고성능 DDR3 메모리 모듈은 보통 2800MHz에서 3000MHz 제품을 구입 가능하며 AMD는 APU에서 DDR3-1866 (933)MHz, 인텔 하스웰은 DDR3-1600 (800)MHz를 공식 지원하고 있다. 그러나 이들은 메인보드에 따라 제공되는 오버클럭 옵션을 이용해 보다 높은 오버클럭이 가능하다.
인텔이 공개한 하스웰은 오버클럭 지원을 개선했는데 가장 눈에 띄는 부분은 정해진 범위 내의 베이스 클럭 조절 (100/ 125/ 167MHz) 및 오버클럭을 통해 2933MHz 클럭의 메모리를 지원하는 것이다.
오버클럭커들에게는 이런 부분이 매력적인데 nordichardware는 최근 하스웰 Z87 플랫폼을 이용해 오버클럭커인 John Lam은 메모리 동작 클럭을 4000MHz의 벽을 넘어섰다고 전했다.
John Lam은 CPU와 메모리 모듈 모두를 질소 쿨링을 이용하였으며 이때 도달한 최고 클럭이 4018MHz인 것으로 알려졌다. 이를 위해 프로세서 클럭은 3.5GHz 기본에서 1.095MHz로 조절했다고 전했다.
메모리는 팀그룹 (Team Group) Xtreem PC3 DDR3-2666MHz (CL10-12-12-31)을 이용했으며 4000MHz 기록에는 메모리 타이밍을 CL14-19-15-45로 설정한 것으로 알려졌다. 메모리 전압은 언급되지 않았으나 1.65V 기본에 그 이상을 적용했을 것으로 예상했다.
DDR3 메모리 모듈이 3000MHz에 도달하고 있으나 차세대 DDR4 메모리는 기본 제품이 상당히 높은 클럭 적용이 예상되며 더 높은 클럭으로 동작이 가능할 것으로 전망된다. DDR4 메모리 양산은 2014년에서 2015년 사이 이루어질 것으로 예상되고 있으며 인텔은 2014년 말 하스웰-E (Haswell-E) 프로세서를 통해 지원할 것으로 알려졌다. |
