|
테스트에는
i925X 메인보드인 ABIT AA8 메인보드와 펜티엄4 530 프로세서를 사용하였다. AA8 메인보드의 기본 설정 FSB가
204이기 때문에 200.0으로 정확히 맞춰서 테스트를 진행하였다. i925X 메인보드에서의 메모리 클럭은 동기화된 클럭인
400MHz와 비동기화 클럭인 533MHz로 설정이 가능하며, 두 설정에서의 메모리 대역폭 차이가 어느 정도 있기 때문에
둘 다 테스트하였다. 비교 대상으로는 Corsiar의 하이엔드 DDR2 메모리인 Corsiar XMS2 PRO DDR2
667MHz 메모리를 사용하였다.
AA8에서의
메모리 타이밍 설정은 CAS Latency, Act to Precharge Delay, tRCD, tRP의 네 가지이다.
일반적인 표기 방법은 Act to Precharge Delay가 가장 뒤로 간 4-4-4-11 (삼성 DDR-II 메모리의
스펙)과 같이 표기한다. 메모리 타이밍은 낮은 수치일수록 성능이 좋으며, 스펙보다 지나치게 낮게 설정할 경우 시스템
불안정을 초래하거나 아예 포스팅이 되지 않는다. GEIL 메모리는 삼성 메모리의 4-4-4-11보다 훨씬 높은 스펙인
3-3-3-8을 기존스펙으로 제공한다.
기본 타이밍 설정에서의 테스트
메모리 타이밍을 By SPD로 놓고 메모리가
지원하는 기본 스펙을 메인보드가 읽어내도록 하자, 게일 메모리는 DDR2 533MHz에서 모듈에 표기된대로 3-3-3-8의
클럭으로 인식되었고, DDR2 400MHz에서는 3-3-3-6으로 더 타이트한 값으로 적용 되었다. 비교대상인 커세어
메모리는 DDR2 667MHz @ 4-4-4-12가 정규스펙인 메모리이지만 533 MHz라고 좀 더 타이트한 설정이
적용되지는 않았다. 그러나 400MHz에서는 4-3-3-9의 한 단계 낮은 설정값을 지원한다.
메모리 대역폭을
확인해본 결과 낮은 레이턴시를 설정한 게일 메모리가 커세어 메모리를 소폭이나마 앞서고 있다. 일반적으로 메모리 설정이
CPU의 FSB와 비동기 모드일 때는 동기화된 속도 이상의 대역폭은 활용할 수 없지만, i925X 에서는 400 MHz와
533 MHz의 차이가 분명히 있고, DDR2 메모리의 보편적인 스펙도 DDR2 533MHz이다. 즉, 400 MHz일
때의 메모리 타이밍과 성능은 고려 대상은 아니라는 것인데, 400 MHz일 때는 차이가 덜하지만 533 MHz일 때는 두
메모리에서 설정 가능한 값의 차이가 크다.
많은 메모리
대역폭을 요구하는 수학연산 및 동영상 인코딩 작업에서 메모리 타이밍 설정에 따른 차이를 확인할 수 있다. 소폭이지만 더
낮은 레이턴시를 갖고 있는 게일 메모리가 1~2초 가량 더 일찍 작업을 마쳤다.
그런데
3DMark 03 테스트에서는 오차 범위 내이긴 하지만 동일한 클럭에서는 항상 커세어 메모리가 더 좋은 성능을 보이고
있다. 커세어 메모리가 레이턴시 설정값이 불리한데 어찌된 일일까?
|
