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ASRock의 초기 제품군에서는 바이오스에서 성능 및 오버클럭에 관련된 옵션을 거의 찾아볼 수
없었지만 최근에 출시된 제품들은 타사의 제품 못지 않게 충분히
다양한 옵션을 제공하고 있다. P4S55FX / P4S55FX+는 지금까지 국내에 출시된 ASRock 메인보드 중 가장 최상위
제품군이니만큼 충실한 바이오스에 대한 기대가 크다. 보드나라에 입수된 샘플에 입혀져 있는 바이오스는 초기 바이오스인 1.00 이다. 현재까지 ASRock에서 새로
배포한 바이오스가 없지만 머지 않아 개선판이 나오리라 생각된다. 이유는 뒤의 성능 테스트 결과에서 설명하겠다.
한번이라도 ASRock 메인보드의 바이오스를 본 사람이라면 알겠지만, 소개되는 딱 두 컷을 제외한
나머지 메뉴는 '볼 품 없는' 수준이기 때문에 생략하고 핵심만 소개하도록 하겠다.
① 먼저 DRAM의 클럭 설정은 i865PE와는 달리 266/333/400으로 이루어져 있다.
i865PE는 일반적으로 CPU와 배율에 따라 동기화되는 클럭을 표기하다보니 5:4 배율에서는 320MHz라는 클럭을 갖게 되지만,
SiS 계열의 메인보드는 항상 비동기 클럭의 설정이 가능했다. 그러나 어차피 메모리는 CPU의 대역폭과 보조를 맞춰서 움직일 수 밖에
없는 운명이기 때문에 실제로 활용되는 대역폭은 i865PE의 그것과 동일하다.
② Flexibility라는 다소 생소한 옵션을 볼 수 있는데, 같은 옵션을 ASRock
K7S41GX (SiS741GX) 메인보드에서 볼 수 있었던 것을 보면, SiS655FX의 전유물인 옵션은 아닌 모양이다. 이 메뉴에
대해서는 '메모리가 더 강한 내구력을 갖게 된다'라는 설명이 덧붙여지는데, 메모리 대역폭을 엄청나게 깎아먹기 때문에 평상시에 사용할
옵션은 아니다. ASRock의 FAQ를 보면 Home 키를 지속적으로 누른 상태에서 전원을 켜면 이 옵션이 자동으로 활성화된다는
것으로 보아, CPU의 FSB는 오버클럭이 가능하지만 메모리의 오버폭이 뒷받침 해주지 못하는 상황에서 일단 부팅은 시킬 수 있게 하기
위한 옵션으로 보인다.
Chipset Configuration 탭에 들어가면 아래와 같은 세부 옵션을 만나게 된다.
① 전압에 관련된 옵션이 VDDQ, VCCM의 두 가지가 있는데, 일반적으로 VDDQ는 DRAM에 인가되는 전압을 나타낼 때 쓰는
표현이지만, 여기서는 VCCM이
DRAM 전압이며, VDDQ는 AGP에 인가되는 전압으로 추정된다.
② IDE Driving Strength는 IDE 퍼포먼스와 관련이 있을 것으로 생각되나 벤치마크 툴을 통해서는 오차범위 이상의 차이를 발견할 수
없었다. 최근 ASRock 메인보드의 바이오스들은 Strong을 기본값으로 두는 추세이다.
③ AGP/PCI 클럭 고정기능은 CPU Host Frequency를 Manual로 설정했을때만 변경이 가능해진다. 클럭 고정을
지원하므로 비정규 클럭으로 변경해도 안전하다.
④ DRAM Access Mode는 Single Channel과 Dual Channel로 표기가 되어 있는데, 잘못된 표기방법이다.
레퍼런스 보드를 기준으로 보자면 각각 64bit * 2 모드와 128bit * 1 모드이다. 여기서 Single Channel로
설정한다고 해도 DIMM에 듀얼채널을 위한 조합으로 설치한다면 듀얼채널로 동작한다. 그러나 두 모드의 대역폭에는 약간 차이가 있다.
64bit * 2가 128bit * 1에 비해 150MB/s 정도의 대역폭 손실을 갖게 된다.
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VDDQ Voltage |
1.66v / 1.57v |
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VCCM Voltage |
2.62v / 2.55v |
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IDE Driving Strength |
Normal / Strong |
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ZCLK/AGP/PCI Frequency mode |
Sync mode / Fix
mode |
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DRAM Access Mode |
Auto / Single
Channel / Dual Channel |
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DRAM CAS Latency |
Auto / 2 / 2.5 / 3 |
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DRAM Precharge Time |
Auto / 2 / 3 / 4 /
5 |
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DRAM RAS to CAS Delay |
Auto / 2 / 3 / 4 /
5 |
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DRAM ACT to Precharge delay |
Auto / 6 / 7 / 8 /
9 |
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DIMM1,2 Address/Command Rate |
Auto / 1 / 2 |
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DIMM3,4 Address/Command Rate |
Auto / 1 / 2 |
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DIMM1,2 FWDSDCLK Delay |
Auto / 0.5ns ~
2.5ns까지 0.2ns 간격 |
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DIMM3,4 FWDSDCLK Delay |
Auto / 0.5ns ~
2.5ns까지 0.2ns 간격 |
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DDR IO Input Termination |
170 ohms / 300 ohms
/ 400 ohms |
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