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그렇다면
같은 메모리 타이밍에서는...?
게일 메모리를 커세어 메모리와 동일한 값으로 설정하고 테스트하니 커세어의 XMS2 PRO 제품이
훨씬 좋은 성능을 낸다. 같은 클럭과 같은 타이밍 설정에서 이런 차이를 보인다는 것은 단순히 레이턴시만 낮춘다고 성능이
향상되는 것은 아니라는 것을 알려준다. 동등한 성능을 내기 위해 게일 메모리는 좀 더 낮은 레이턴시에서 동작하도록 최적화
되어 있고, 커세어 메모리는 더 높은 레이턴시에서도 충분한 성능을 낼 수 있도록 만들어져 있는 것이다.
이는 사용된 메모리 모듈이나 컨트롤러가 성능에 차이를 준다기보다는, 메인보드 바이오스에서
드러나지 않는 설정 값이 서로 다르기 때문일 것이다. By SPD로 놓았을 경우 각 메모리 제조사에 따라 최적화된 여러
세팅 값이 (CAS tRC tRFC tRCD tRRD tRAS tRP tWR tWTR tRWT 등...) 바이오스로
전달되는데, 사용자가 볼 수 있는 값은 단지 4 가지에 불과하지만 숨어 있는 많은 옵션들은 제품마다 서로 다를 수 있다.
작업에 따라
메모리를 엑세스하는 패턴이 다르기 때문에, 보이지 않는 설정 값의 차이가 앞에서 본 3DMark03 스코어를 뒤집을 수
있었던 것이다.
성능을
최대한 끌어내보자!
동일한 메모리 타이밍 설정에서 커세어 XMS2 PRO 메모리가 더 뛰어난
성능을 보인다면 XMS2 PRO 메모리가 더 좋은 메모리일까? 그러나 꼭 그렇지만은 않다. 기본 설정 스펙에서는 특별한
경우를 제외하고는 레이턴시가 낮은 게일 메모리가 더 높은 성능을 갖고 있다. 그렇다면 XMS2 PRO 메모리는 667
MHz을 지원하는 제품이니 533 MHz로 설정할 때는 더 낮은 레이턴시로 설정할 수 있는 것이 아닌가 하는 의문이
생긴다.
그러나 XMS2 PRO 메모리는 게일 메모리와 동일한 1.8V 전압에서는
DDR2 533MHz @ 4-4-4-12에서 조금도 융통성을 발휘할 수 없었다. 설정값을 조금만 낮추면 곧바로 포스팅이
불가능하거나 윈도우 진입 후 프라임 테스트에서 1분을 버티지 못한다. 보이지 않는 설정 값이 타이트하게 적용되어 있기
때문에 여유가 없는 것이다. 그러나 XMS2 PRO 메모리의 권장 전압이 1.9V이기 때문에 이는 공정하지 못하고, 2V로
설정한 상태에서 테스트 했더니 최대 3-3-3-8까지 설정을 견딜 수 있었다.
게일 메모리는 전압을 조절할 필요 없이 533 MHz에서 3-3-2-4의 낮은
레이턴시로 설정할 수 있었는데, 이는 삼성 PC3200 DDR-I 메모리의 3-4-4-8보다도 오히려 낮은 레이턴시라
DDR-II가 DDR-I보다 레이턴시가 높다는 편견을 무색하게 만들어버린다. 3-3-2-4가 메인보드에서 설정할 수 있는
최저값이기 때문에 전압 조절을 통해 더 조여줄 수가 없었는데, 서로 최대한의 성능을 끌어낼 수 있는 환경에서 비교해보도록
하자.
결과는 엎치락 뒤치락이다. 순수한 메모리 대역폭에서는 게일 메모리가 약간씩 우위를 점하고
있으며, 4~8분 정도의 짧은 작업에서는 1초도 차이가 나지 않았다. 다만 3D 가속의 경우에는 커세어 XMS2 PRO
메모리가 다소 높은 스코어를 기록했는데, 더 이상 튜닝을 위해 손댈 수 있는 부분이 없는 게일 메모리의 한계이다. 더 낮은
전압에서도 더 타이트한 레이턴시를 적용시킬 수 있기 때문에 나머지 설정값들을 수정할 수 있고, XMS2 메모리와 동일하게
맞출 수 있다면, 최소한 더 좋거나 동등한 성능을 낼 수 있었을 것이다. |
