현재 주력으로 사용되는 DDR3 후속 메모리인 DDR4는 데스크탑 시장에서는 올해 하반기 인텔이 하이엔드 시장에 출시할 하스웰-E (Haswell-E)를 시작으로 지원할 예정이며 서버 시장을 위한 DDR4 메모리는 이보다 일찍 모습을 드러내고 있다.
DDR4 메모리는 1세대 제품의 동작 클럭이 2133MHz으로 알려졌고 이는 기존 DDR3 대비 높은 클럭으로 동작하는 것은 아닌데 이보다 고클럭을 적용한 메모리의 등장에 대한 소식은 들려오지 않고 있다. 그러나 최근 DDR4 메모리 고클럭을 달성하기 위한 기술 적용이 이루어질 것이라는 소식이다.
소식을 전한 expreview는 Cadence가 DDR4-2133MHz에 머문 동작 클럭을 TSMC의 16nm FinFET 공정을 이용 DDR4 메모리 물리 레이어 (Phy) IP를 개선함으로써 최대 3200Mbps (3200MHz)에 도달 가능할 것이라고 전했다.
Cadence가 소개한 기술은 메모리 물리 레이어 (Phy) 인터페이스 재디자인이 필요치 않은 것으로 알려졌고 DDR4-3200 물리 레이어 IP는 하위 호환도 가능할 것이라고 전했다. 이 회사는 DDR4-2400 물리 레이어와 컨트롤러를 TSMC의 28nm 공정을 이용해 개발한 바 있다.
현재 JEDEC의 표준 DDR4 메모리 스펙은 1600-3200Mbps로 주요 메모리 제조사는 DDR4-2133MHz 표준 제품을 개발했고 이보다 높은 고속의 메모리는 아직 등장하지 않은 상황으로 여전히 개발중에 있는 것으로 알려졌다. 새로운 기술을 도입하면 고클럭 DDR4 메모리의 등장도 보다 빠르게 진행될 것으로 예상된다.
한편 DDR4 메모리는 삼성전자와 SK하이닉스 (SK Hynix), 마이크론 (Micron) 등의 주요 메모리 제조사에서 개발 및 양산을 준비 중이다. |
