삼성전자가 세계 최초로 3차원 TSV 적층 기술을 적용한 64GB DDR4 서버용 D램 모듈 양산에 들어갔다고 밝혔다.
'TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극)' 적층 기술은 D램 칩을 일반 종이의 절반도 안되는 두께로 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술로, 기존 와이어(금선)를 이용한 패키징 방식보다 속도와 소비전력을 크게 개선한 것으로 알려지고 있다.
이번에 양산에 들어간 64GB DDR4 서버용 D램 모듈은 20나노급 4Gb D램을 4단으로 쌓아 만든 4단칩 36개를 탑재해 총 144개의 칩으로 구성된 대용량 제품이다. 기존 와이어 본딩을 이용했지만 D램 대비 동작 속도가 2배나 빠르면서 소비전력을 1/2 수준으로 크게 절감한 것으로 나타났다.
삼성전자는 2010년 세계 최초로 TSV 기반 D램 모듈을 개발해 글로벌 서버 고객과 기술 협력을 추진해왔으며, 올해는 TSV 전용 라인을 구축하고 양산 체제에 돌입함으로써 새로운 시장 창출에 나선다는 계획이다. 특히 이번 64GB 대용량 서버용 DDR4 모듈과 올 하반기 출시되는 차세대 서버용 CPU를 연계해 신규 시장을 적극적으로 공략할 예정이다.
삼성전자 측은 작년 세계 최초로 3차원 V낸드 플래시를 양산하고 이번에는 업계 최초로 DDR4 D램에 TSV 기술을 적용한 차세대 제품을 양산함으로써 '3차원 메모리 반도체 시대'를 주도하게 됐다고 밝혔다.
또한 하반기 서버 D램 시장이 DDR3 D램에서 DDR4 D램으로 전환되는 트렌드에 맞춰 3차원 TSV 기술을 적용한 64GB 이상의 고용량 DDR4 모듈도 출시해 프리미엄 메모리 시장을 더욱 확대해 나갈 예정이라고 언급했다.
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