TSMC는 16nm FinFET의 향상 공정으로 알려진 16nm FinFET Plus 공정의 리스크 생산 (Risk Production)에 들어간 것으로 알려졌다.
소식을 전한 대만 디지타임즈 (Digitimes)는 TSMC가 16nm FinFET Plus (16FF+) 공정의 리스크 생산 단계에 있으며 이 공정은 16nm FinFET의 향상 버전이면서 20nm Soc (System-on-Chip) 공정 대비 40% 빠르고 같은 속도에서 50% 적은 전력을 소모할 것이라고 전했다.
TSMC는 16nm FinFET Plus 공정이 고객들에게 더 향상된 성능과 함께 전력 최적화를 통해 차세대 하이엔드 모바일과 컴퓨팅, 네트워킹, 소비자 가전 분야에 사용 가능할 것이며 16nm FinFET과 16nm FinFET Plus 공정은 20nm 공정을 이어 고객들에게 높은 경쟁력과 가치를 제공하는 제품을 제공할 수 있을 것이라고 밝혔다. 이에 앞서 등장한 16nm FinFET 공정은 2.3GHz ARM Cortex-57과 같은 고속 애플리케이션 등에 적용되고 있다.
16nm 공정이 2015년 1분기 도입 예정이었고 2015년 2분기 16nm FinFET은 50,000개의 웨이퍼 생산을 기대했다. 16nm FinFET Plus 공정은 이보다 1년 후인 2016년 말 본격화될 것으로 예상되며 2015년 말에는 첫 번째 적용 디자인 제품의 테입아웃, 2015년 중반에 양산 시작이 가능할 것으로 예상했다.
또한 같은 소식을 전한 wccftech는 엔비디아 (NVIDIA)가 차세대 GPU에 20nm 공정을 건너뛰고 16nm FinFET Plus 공정을 적용할 가능성도 있다고 전했다. 그에 대해 20nm 공정 도입 소식이 들리지 않고 엔비디아가 16nm 공정을 TSMC와 협력하기로 했다는 발언 등이 있었다는 것을 근거로 들었다. 16nm FinFET Plus 공정이 예상보다 빠르게 진척된다면 2015년 중으로 차세대 GPU에 적용할 가능성도 있어 보인다. |
