삼성전자, 올해 D램 출하량 절반 이상 20나노 공정으로 생산

2015-02-23 11:56
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr

삼성전자가 올해 D램 출하량 가운데 절반 이상을 20nm 공정으로 생산할 것이라는 소식이다.

Digitimes는 업계 소식통을 인용해 삼성전자가 2014년 20nm 공정 기술을 이용해 D램 메모리 대량 생산을 시작했으며 2015년 전체 D램 출하량의 50% 이상을 20nm 공정으로 생산할 것이라고 보도했다.

반면 SK하이닉스와 마이크론(Micron)은 2015년에 20nm 공정으로 전환하기 위해 준비하고 있지만 출하량은 생산 수율의 향상에 따라 달라질 것이라고 한다.

또한 25nm와 28nm 공정으로 만들어진 D램 메모리 가격이 20nm 공정 D램 칩의 글로벌 출하가 늘어나는 올해 크게 떨어질 가능성이 있으며 25nm 및 28nm 공정을 채택한 기업의 수익성에 영향을 줄 수 있을 것으로 예상했다.

삼성전자가 20nm 공정 기술을 선도하고 있는 가운데 SK하이닉스는 25nm 공정, 마이크론은 28nm 공정을 주요 D램 생산에 사용하고 있으며, 대만 D램 업체들은 아직까지 30nm와 40nm 공정으로 사용하고 있어 D램 가격 경쟁이 시작될 경우 가장 큰 피해를 입을 것으로 보인다.

한편, DRAMeXchange에 따르면 주류 4GB DDR3 D램 모듈의 고정 거래 가격은 1월 하순 3.38달러로 작년 말보다 5.85% 하락했다.

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