SK하이닉스 20nm 공정 1세대 HBM 양산, 비디오 메모리 외에 DRAM과 SSD 등에도 활용

2015-06-19 12:05
권경욱 前 기자

press@bodnara.co.kr

SK하이닉스 (SK Hynix)가 1세대 HBM (High Bandwidth Memory)을 양산 중이라는 소식이다.

SK하이닉스가 양산을 발표한 HBM은 1세대로 제조 공정은 20nm를 이용한다. 1세대 HBM은 4Hi 스택으로 구성되며 칩당 1GB와 128Gb/s 대역폭을 구현한다.

AMD 차세대 라데온 R9 퓨리 (Radeon R9 Fury) 시리즈에 탑재되는 HBM은 GDDR5가 칩당 28GB/s의 대역폭을 제공하는데 반해 128GB/s로 향상했으며 소비전력도 50% 낮출 수 있는 것으로 알려졌다.

2016년에는 2세대 HBM (HBM2)가 등장할 예정이며 4Hi 외에도 8Hi로 적층이 가능해 용량은 2배, 대역폭도 256Gb/s로 늘어날 예정이다. 엔비디아 (NVIDIA)는 파스칼 (Pascal)에 HBM2를 이용할 것으로 알려진 바 있다.

HBM은 라데온 R9 퓨리 시리즈를 통해 그래픽카드에 탑재가 알려졌지만 그래픽 메모리 외에도 DRAM, 낸드 (NAND), SSD 등에도 적용 가능한 차세대 메모리다.

이 기사의 의견 보기

마프티

/ 15-06-22 14:32/ 신고

hbm이 어떤 변화를 몰고 올지....

프리스트

/ 15-06-26 11:38/ 신고

차세대 비휘발성 메모리는 언제

비회원

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