삼성, 2017년 하반기 2세대 10nm대 DRAM 양산?

2016-11-01 10:47
이상호 기자 ghostlee@bodnara.co.kr

삼성전자에서 1ynm DRAM 양산을 준비 중이라는 소식이 전해졌다.

이번에 전해진 소식에 따르면 삼성은 당초 계획보다 빠른 2017년 하반기에 두 번째 10nm대 공정, 일명 1ynm(15nm 또는 16nm) 공정의 DRAM 양산을 계획 중이라고 전했는데, 이는 경쟁사들이 아직 20nm 급에 머물고 있는 것과 비교해 1년 이상 앞선 것으로 분석되고 있다.

현재 삼성 메모리는 20nm가 82%, 첫 번째 10nm 대(18nm, 1xnm) 공정 제품이 12%를 차지하고 있는 것으로 분석되고 있으며, 2017년 하반기 1ynm 공정 제품 양산이 시작되면서 생산량 조절을 통해 1xnm 공정 제품의 비중이 30%~40% 대를 차지할 것으로 예상되고 있다.

한편, 당초 삼성은 2020년 경 10nm급(1znm) 공정의 DRAM 양산을 계획하고 있었지만 현재와 같은 페이가 이어진다면 1년 정도 앞당겨진 2019년 초 1znm 공정 도입이 가능할 것으로 점쳐지는데, IHS에 따르면 2016년 2분기 현재 DRAM 시장에서 삼성의 점유율은 46.6%에 달하는 것으로 조사되었다.