SK하이닉스, 2017년 2분기부터 10nm 공정 DRAM 양산 개시

2016-12-16 11:16
방수호 前 기자 scavenger@bodnara.co.kr

SK하이닉스가 2017년 2분기부터 10nm 공정으로 DRAM 대량생산 체제에 들어갈 것이라고 밝혔다.

현재 10nm 공정으로 DRAM을 양산하는 기업은 삼성전자 뿐이며 SK하이닉스는 그 뒤를 이어 세계에서 두 번째로 10nm 공정 DRAM을 양산하는 기업이 된다. 1x (차세대) DRAM 개발이 끝나면 1y (1x의 차세대) DRAM 작업이 시작 되며, 1z (1y의 차세대) DRAM 개발 팀이 설립 되어 경쟁력을 강화해 나갈 것이다.

SK하이닉스의 10nm 공정 1x DRAM은 알리우스(Alius)라는 프로젝트 명이 붙여져 있으며 이미 시제품 웨이퍼가 제조 되었고 최종 고객 샘플 시험이 진행 중이다. 그리고 SK하이닉스는 고객 신뢰도 확인을 위해 즉시 칩을 공급할 예정인데 그에 따라 1x DRAM 개발은 성공한 것으로 볼 수 있다.

한편 삼성전자는 올해 1분기부터 10nm 공정의 1x DRAM 양산을 개시했으며 현재 SK하이닉스보다 기술적 격차 면에서 약 18개월 앞서 있다고 평가 받고 있다. SK하이닉스는 2017년 2분기에 10nm 공정 1x DRAM 양산을 개시하며 이를 통해 기술적 격차가 3개월 정도 줄어들 것으로 전망 된다.

SK하이닉스는 1y DRAM(프로젝트 명 다빈치(Davinci)) 개발 속도를 높이고 그와 동시에 1z DRAM (프로젝트 명 리겔(Rigel)) 개발에 착수할 계획이다.