파나소닉(Panasonic)이 대만 반도체 업체인 UMC(United Microelectronics Corporation)과 차세대 ReRAM 양산 과정의 공동 개발에 합의했다.
ReRAM(Resistive Random Access Memory, 저항 변화형 메모리)은 현재 널리 사용되고 있는 낸드 플래시 메모리와 같은 비휘발성 메모리의 하나로 금속 산화물 박만에 펄스 전압을 가함으로써 큰 저항 변화를 일으켜 0과 1을 기억하게 하는 방식으로 동작하는데, 금속 산화물을 전극 사이에 두는 간단한 구조로 제조 공정이 비교적 간단하고 저전력 소비 및 고속 재기록 특성을 가지고 있다.
파나소닉 반도체 솔루션 주식회사(PSCS)는 지난 2013년부터 180nm 공정에서 ReRAM 영산을 시작해 현재 휴대용 의료 기기 등의 저전력 용도로 8bit 마이컴 MN101LR 시리즈를 공급하고 있으며, 차세대 40nm 공정의 메모리 어레이를 평가하고 신뢰성을 입증했다.
양사는 이번 협업으로 PSCS가 개발한 40nm 미세 ReRAM 공정 기술과 UMC의 높은 CMOS 공정 기술을 융합해 현재 IC 카드나 착용 단말기, IoT 기기 등에 널리 보급되고 있는 시스템 장치에 사용되는 플래시 메모리를 대체하고 다양한 시스템에 응용 가능한 ReRAM 플랫폼을 제공할 계획이다.
PSCS는 40nm 공정으로 만든 ReRAM 샘플을 2018년에 출시해 업계에서 선행 양산을 개시한 ReRAM 보급을 가속하고 향후 양사가 개발한 ReRAM 공정 기술을 세계 반도체 공급 업체에 제공할 것이라고 밝혔다. |
