램버스-MS, 극저온에서 동작하는 차세대 메모리 개발 협력 확대

2017-04-21 11:21
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr

램버스(Rambus)와 마이크로소프트(Microsoft)가 양자 컴퓨터를 위한 차세대 메모리 개발을 위해 협력한다.

램버스는 지난 17일(현지시간) 공식 블로그를 통해 극저온에서 메모리 성능을 최적화하는 프로토타입 시스템을 개발하기 위해 MS 연구진과의 협력을 확대하고 있디고 밝혔다.

2015년 12월 발표된 초기 공동 작업 이후 새로운 협력을 통해 메모리 기능을 향상시키고 에너지 소비를 줄이면서 전체 시스템 성능을 향상시키기 위한 공동 노력을 확대하기로 한 것이다.

램버스에 따르면 이 기술은 미국 표준기술 연구소에서 영하 180도(-180°C 또는 -292.00°F나 93.15K) 이하로 규정된 극저온에서의 DRAM 및 로직 작동의 에너지 효율성을 향상시키고 고성능 슈퍼 컴퓨터 및 양자 컴퓨터에 이상적이다.또한 고속 SerDes 링크로 극저온 및 초전도 영역에서 효율적으로 작동하고 새로운 메모리 시스템이 이러한 온도에서 사용할 수 있게 해준다.

램버스는 메모리 용량과 전력 효율성을 향상시키는 기존의 접근 방식에서 증가하는 난제로 인해 극저온 기술을 사용하는 DRAM의 작동 온도 변화가 미래의 메모리 시스템에서 필수적이 될 수 있다며 MS와의 전략적 제휴 확대가 고성능 슈퍼 컴퓨터 및 양자 컴퓨터의 새로운 애플리케이션으로 이어질 것이라고 밝혔다.