인텔, 10nm 공정 첫 번째 칩으로 64층 3D 낸드플래시 메모리 준비 중?

2017-09-28 13:18
방수호 前 기자 scavenger@bodnara.co.kr

인텔이 10nm(나노미터) 공정 첫 번째 칩으로 64층 3D 낸드플래시(Nand Flash) 메모리를 준비 중이라는 루머가 나왔다.

테크파워업(Techpowerup)에 의하면 낸드플래시 칩은 CPU 다이(die)처럼 전문화된 연구개발이 필요하지만 상대적으로 개발 시 위험 부담이 낮아서 새로운 실리콘 제조 공정을 도입할 때 첫 번째로 선택하는 편이다.

인텔의 10nm 반도체 제조공장에서 제조될 첫 번째 칩은 데이터센터 응용 프로그램용 64층 3D 낸드플래시 메모리에 사용할 것으로 전망된다. 인텔은 10nm 공정으로 FinFET 하이퍼 스케일링(Hyper Scaling)을 도입하고 기존보다 트랜지스터 밀도를 2.7배 높일 수 있다. 따라서 데이터센터에 적합한 대용량 SSD를 기존 공정보다 효율적으로 제조하는 기틀이 될 수 있다.

한편 인텔의 10nm 공정 CPU 캐논레이크는 2018년 초에 출시될 것으로 예상되며 아직 더 기다려야 자세한 정보가 나올 것으로 보인다.

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