JEDEC에서 차세대 메모리 규격인 DDR5 스펙을 공식 발표했다.
DDR4와 비교했을 때 DDR5 메모리는 최대 칩 밀도가 16Gbit(2GB)에서 64Gbit(8GB)로 늘어나 일반적인 메모리(DIMM) 용량도 32GB에서 128GB로 늘어나고, 속도는 4800MHz을 시작으로, DDR4의 3200MHz보다 두 배 빨라진 최대 6400MHz를 지원한다.
DDR5 메모리는 속도를 늘리기 위해 모듈 당 32bit로 이뤄진 듀얼 채널 64bit 구성을 취했으며, 버스트 길이도 8바이트에서 16바이트로 깊어서 각 채널이 동작 단위마다 64바이트를 전송할 수 있어, DDR4와 비교시 유효 대역폭 두 배를 달성했다.
이미 알려져 있듯 DDR5의 동작 전압은 DDR4의 1.2V에서 1.1V로 약 10% 낮아져 전압 효율이 개선되며, 메모리 전압 조정을 메인보드가 아닌 각 DIMM에서 수행하도록 전압 조정기가 포함된다. 이에 따라 메인보드의 메모리 관련 설계는 보다 단순해지는 반면, 메모리는 전압 조정기 추가에 따른 설계 복잡성 증가 및 가격 인상 요인으로 작용할 것으로 예상된다.
JEDEC에 따르면 온 다이 레귤레이터는 더 나은 전압 공차를 지원해 DRAM 수율 개선을 기대할 수 있다며, 이를 통해 단순히 전압 하락폭 이상의 전력 효율을 기대할 수 있을 것이라고 전했다. DDR5 메모리 DIMM의 핀 구성은 DDR4와 동일한 288핀 구성이지만, 듀얼 채널 구성과 기존 규격 DRAM 슬롯과의 혼용을 방지하기 위해 레이아웃은 변경된다.
한편, JEDEC은 시장에 DDR5 메모리가 양산되기 까지 앞으로 1년에서 1년 반(18개월) 가량 소요될 것으로 전망하고 있으며, 이후 가격 안정화와 플랫폼 전환까지 감안한다면 메인스트림 시장 도입까지는 2년 가까운 시간이 소요될 것으로 예상된다. |
