±Û·Î¹ú ÷´Ü ¹ÝµµÃ¼ Àåºñ±â¾÷ ASMÀÌ »õ·Î¿î µà¾ó è¹ö Ç÷§ÆûÀÎ PE2O8 ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀÌµå ¿¡ÇÇÅýà ½Ã½ºÅÛ(PE2O8 Silicon Carbide Epitaxy System ÀÌÇÏ, PE2O8 ½Ã½ºÅÛ)À» °ø½Ä Ãâ½ÃÇß´Ù. ÷´Ü SiC Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ºÎ¹®À» À§ÇØ ¼³°èµÈ PE2O8Àº ³ôÀº °øÁ¤ ±ÕÀϼº°ú »ý»ê¼º, ³·Àº ¿î¿µºñ¿ë ¹× Á¤¹ÐÇÑ °áÇÔ(defect) °ü¸®°¡ Ư¡ÀÎ ´ëÇ¥ÀûÀÎ ¿¡ÇÇÅýà ½Ã½ºÅÛÀÌ´Ù.
Àü±âÂ÷, ģȯ°æ ¿¡³ÊÁö, µ¥ÀÌÅͼ¾ÅÍ µî °íÀü·Â, °íÈ¿À² ±â¼úÀ» ¿äÇÏ´Â »ê¾÷ ½ÃÀåÀÌ ¼¼°èÀûÀ¸·Î ºÎ»óÇÏ¸ç ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC) ¹ÝµµÃ¼°¡ ÇʼöÀûÀÎ ¿ä¼Ò·Î ÀÚ¸® ÀâÀº °¡¿îµ¥, SiC ¼ö¿ä¿Í ºñ¿ë Àý°¨ Çʿ伺ÀÌ Áõ´ëµÇ¾î, »ý»ê·®À» ´Ã¸± ¼ö ÀÖ´Â 8ÀÎÄ¡ SiC ±âÆÇÀ¸·Î ÀüȯÀÌ ÀÌ·ç¾îÁö°í ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ SiC ¼ÒÀÚ Á¦Á¶ ±â¾÷µéÀº SiC ¿¡ÇÇÅýà ½Ã½ºÅÛÀÇ ÀÌÁ¡À» È°¿ëÇϱâ À§ÇÑ °íÀü·Â ¼ÒÀÚ¸¦ ¼³°èÇÏ°í ÀÖ´Ù.
ÀÌ·¯ÇÑ È¯°æ¿¡ ¸ÂÃç »õ·Ó°Ô ¼±º¸ÀÎ ASMÀÇ PE2O8 ½Ã½ºÅÛÀº 6ÀÎÄ¡¿Í 8ÀÎÄ¡ ¿þÀÌÆÛ ¸ðµÎ ȣȯ Áö¿øÇÔÀ¸·Î½á, ±âÁ¸ ÀÚ»ç ½Ì±Û ¿þÀÌÆÛ SiC ¿¡ÇÇÅýà ½Ã½ºÅÛ(6ÀÎÄ¡ PE1O6 ¹× 8ÀÎÄ¡ PE1O8) Æ÷Æ®Æú¸®¿À¸¦ ´õ¿í È®ÀåÇÏ¿´´Ù.
µ¶ÀÚÀûÀÎ ¼³°è ¹æ½ÄÀ» ±â¹ÝÀ¸·Î ±¸ÇöµÈ µà¾ó è¹ö PE2O8Àº SiC ÃÊÁ¤¹Ð Á¦¾î ±â¼ú°ú ¿ì¼öÇÑ °øÁ¤ ±ÕÀϼºÀ¸·Î SiC¸¦ ÁõÂøÇØ ¼öÀ² ¹× 󸮷®À» ´Ã·Á »ý»ê¼ºÀ» ´õ¿í Çâ»ó½ÃÅ°´Â µ¿½Ã¿¡ ÃÑ ¿î¿µºñ¿ëÀº Àý°¨ÇÑ´Ù. ´õºÒ¾î, ´õ¿í Æí¸®ÇÑ »ç°í ¿¹¹æÀû À¯Áöº¸¼ö ±â´ÉÀ¸·Î °¡µ¿ ½Ã°£Àº ´Ã¸®°í ¿¹»óÄ¡ ¸øÇÑ ½Ã½ºÅÛ Áß´Ü(downtime)Àº ÁÙ¿©ÁØ´Ù. ÇØ´ç Á¦Ç°Àº ÀÌ¹Ì SiC Àü·Â ¼ÒÀÚ Á¦Á¶ ºÎ¹®ÀÇ ¼±µÎ±â¾÷µéÀ» Æ÷ÇÔÇØ Àü ¼¼°è °í°´ ±â¾÷À» ´ë»óÀ¸·Î Á¦°øµÇ°í ÀÖ´Ù.
ÇÑÆí, Àü±âÂ÷ ¼ö¿ä Áõ´ë¿Í ÇÔ²² Àü¹ÝÀûÀÎ SiC ¿þÀÌÆÛ ¹× ¼ÒÀÚ ¼öÀ² Çâ»óÀ¸·Î SiC ¿¡ÇÇÅýà Àåºñ ½ÃÀåÀº ÃÖ±Ù ¼ö³â°£ ´ëÆø ¼ºÀåÇßÀ¸¸ç, ASMÀº 2022³â ÀÌ·¡ ½Å±Ô SiC ¿¡ÇÇÅýà Á¦Ç°À» ÅëÇØ ½Ì±Û ¿þÀÌÆÛ SiC ¿¡ÇÇÅýà ½Ã½ºÅÛÀ» ¹ßÀü½ÃÄÑ ¿Ô´Ù. ASMÄÚ¸®¾Æ´Â ÇöÀç °æ±â ȼº µ¿Åº¿¡ R&D¼¾ÅÍ ¹× Á¦Á¶°øÀåÀ» º¸À¯ÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ÁÖ·Â Á¦Ç°ÀÎ ¿øÀÚÃþ ÁõÂøÀåºñ(ALD), ÇöóÁ¿øÀÚÃþÁõÂø(PEALD) Á¦Ç°À» ºñ·ÔÇØ ¿¡ÇÇÅýÃ(Epitaxy) Á¦Ç°ÀÇ »ý»ê ¹× ¿øõ±â¼ú ¿¬±¸¸¦ ÁøÇàÇÏ°í ÀÖ´Ù.
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