Toshiba 새로운 3D NAND Flash 기술 개발 |
|
2007-06-13 12:04
권경욱 前 기자 
press@bodnara.co.kr |
|
|
|
|
|
|
Toshiba는 새로운 3차원 (3D) 메모리 셀 배열 구조를 통해 셀의 밀도와 데이터 용량을 향상할 수 있는 기술을 발표했다는 소식이 digitimes에 올라왔다.
Toshiba의 새로운 3차원 (3D) 기술은 향상된 제조 공정에 의존하지 않으면서 칩 다이 사이즈를 최소로 증가시키기 때문에 미래의 고밀도 NAND Flash 메모리 요구를 충족시킬 수 있는 잠재력이 큰 기술이라고 소개했다.
Toshiba에 따르면, 메모리 밀도를 증가 시키기 위해 겹쳐 쌓인 기억 성분의 기둥은 전극 물질의 다층 레이어를 수직으로 통과하고 나머지는 주변 회로를 이용하는 방법이며, 이는 과거 제품들이 향상된 공정이 수반되어야 하는 것과는 대비된다고 밝혔다.
현재의 2차원 (2D) 메모리 배열은 같은 공정을 통해 반복 작업을 통해 메모리 셀의 밀도를 증가시키며, 이는 제조 공정을 더 복잡하게 만들지만, Toshiba의 3차원 기술은 칩 면적의 최소 증가와 주변 순환 및 실리콘 기둥들의 공유를 통해 가능하여 보다 쉽게 메모리 셀의 밀도를 증가시킬 수 있게 된다. |
|
|
|
|
|
|
보드나라 많이 본 뉴스
메모리 가격 급락에 중국 사재기 업체들 비명?
엔비디아 앱 DLSS 4.5 DMFG, 6x 모드, 사전 세이더 캐시 컴파일 지원 업데이트
일부 지역 메모리 시장 가격 급락, 일시 조정?
|
보드나라 많이 본 기사
DDR5·HBM 메모리 폭등의 유일한 해결법 반도체 증설 현황 총정리, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 [메모리 가격 폭등 7부]
신중한 SSD 선택의 가치, ESSENCORE KLEVV CRAS C925G M.2 NVMe (2TB)
인텔 메인스트림 CPU의 왕위 계승, 코어 울트라 7 270K Plus
|
|
|
|
|
|
| 로그인 | 이 페이지의 PC버전 |
|
| Copyright NexGen Research Corp. 2010 |
|
|
