인텔, 임베디드용 노어 플래시 65nm 공정 전환 |
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2007-08-22 11:03
김찬호 前 기자 
press@bodnara.co.kr |
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인텔은 자사의 임베디드 기술을 사용하는 고객들을 위해 임베디드 노어 플래시 제품 생산을 65나노 공정 기반으로 전환한다는 계획을 발표했다. 인텔에 따르면, 65나노 공정 기술로의 전환을 통해 가격 대비 성능이 향상되고 제품 수명 주기 연장에 기대를 걸고 있다. 가전제품, 유선 통신 장비 및 산업용 애플리케이션에 사용되는 인텔의 65나노 제품들은 2008년 상반기 중으로 고객들에게 샘플이 제공될 것으로 예상된다.
인텔은 임베디드용 제품 생산을 65나노로 전환함으로써 앞으로 제품 수명 주기 연장은 물론 제품 기능 및 비용 효율성을 향상시킬 수 있을 것으로 예상하고 있다.
임베디드 시장을 대상으로 하는 인텔 노어 제품군에는 일반적으로 병렬 및 시리얼 솔루션이 모두 포함된다. 인텔 스트라타플래시(StrataFlash) 임베디드 메모리 (P30/P33)는 비트 당 비용이 가장 낮은, 고집적, 고성능의 싱글칩 코드이자 데이터 솔루션이다. 인텔 임베디드 플래시 메모리(J3 v.D)는 드롭인(drop-in) 호환을 통해 레거시 디자인을 위한 업그레이드 경로를 제공해 준다. 이 제품의 강화된 기능들은 가치와 확장성을 필요로 하는 메인스트림 임베디드 애플리케이션을 지원한다. 또한 업계 표준 인텔 ®시리얼 플래시 메모리(S33)는 보드 디자인을 간소화시키고 보드 공간 활용도를 높여, TV, DVD, PC, 모뎀 및 프린터와 같은 다양한 애플리케이션들을 위한 LPC 인터페이스와 소형 패키지를 구현할 수 있다.
인텔 플래시 제품 그룹의 글렌 헉크(Glen Hawk) 총괄 매니저는 “대부분의 임베디드 디자인은 휴대폰을 비롯한 여러 소비자용 디지털 기기에 비해 제조 기간이 길다.”라며, “인텔 노어 무선 제품들은 최첨단 65나노 공정을 기반으로 이미 대량 생산되고 있다. 이러한 지식 및 전문성을 이용하여 자사 제품 개발 및 생산 일정을 가속화하고 있다.”라고 말했다. |
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