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삼성전자가 세계 최초로 60나노(60nm)급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR2 D램 개발에 성공하고 인텔 인증을 획득했다고 밝혔다.
이번에 개발한 60나노급 2기가 D램은 2004년 개발한 80나노 2기가 D램의 최대 속도인 667Mbps(초당 667메가비트의 데이터 처리) 대비 20% 가량 성능이 향상된 800Mbps 구현이 가능하고, 생산성도 40% 이상 향상되었다.
따라서 2기가비트(Gb) DDR2 D램은 8기가바이트(GB) 서버용 모듈(FBDIMM, RDIMM)과 워크스테이션, 데스크탑 PC, 노트북 PC 등에 탑재되는 4기가바이트 모듈 (UDIMM, SODIMM) 등 기존 대비 메모리 용량을 2배로 높일 수 있는 솔루션을 제공하여 메모리 용량 확대를 가속화 시킬 것으로 예상된다.
또한 기존에 1기가 D램 36개로 구성된 4기가바이트 D램 모듈을 2기가 18개로 대체할 수 있기 때문에, 1기가 D램으로 구성된 모듈 대비 30% 이상 전력을 절감할 수 있고, 그에 따라 시스템 작동시 발열량을 줄이고 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다.
올해 3월 60나노급 1기가비트 DDR2 D램을 세계 최초로 양산한 삼성전자는 기존에 이미 양산 중인 512메가비트 D램을 포함하여 이번에 2기가비트 제품까지 확보하게 됨으로써, 올해 말 DDR2 D램 全 제품에 대해 업계 유일하게 60나노급 제품으로 양산 전환 완료하게 된다고 설명하고, 이번에 개발한 60나노급 2기가 D램과 같이 기술 경쟁력을 바탕으로 한 고용량/고성능 고부가가치 제품을 통해 D램 시장을 주도해 나갈 계획이라고 덧붙였다.
한편, 반도체 시장 조사기관인 가트너 데이터퀘스트 (Gartner Dataquest)에 따르면 세계 2기가 D램 시장은 올해부터 시장이 형성되어 '11년 140억불 규모로 성장, 전체 D램 시장에서 47%를 차지할 것으로 전망했다.
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