스팬션, 소노스 구조의 차세대 아키텍처 미러비트 오어낸드 발표

2007-11-21 11:42
김찬호 前 기자

press@bodnara.co.kr

스팬션은 300mm 웨이퍼에서 45nm 공정기술의 SONOS 구조의 셀을 가진 차세대 대용량 미러비트 메모리 기술을 발표했다.

스팬션은 자사의 미러비트 기술이 적용된 플래시 메모리는 현재까지 20억 달러 이상의 제품을 공급했으며 스팬션 자체의 전체 노어 플래시 메모리 생산량의 약70%를 차지하고 있다고 전하며, 지금까지의 플로팅 게이트 방식의 메모리는 산화막(Oxide)에 데이터를 저장하지만, SONOS 방식에서는 부도체인 질화막(Nitride)에 데이터를 저장하게 되어, 저장된 데이터의 안정성이 더욱 높아지고, 셀 사이즈를 더욱 축소할 수 있는 차세대 기술이라고 밝혔다.

스팬션은 SONOS구조의 미러비트 기술은 45nm 이하 공정에서도 지속적으로 셀 사이즈를 축소해 갈수 있는 기술로 미러비트 기술 기반의 모든 제품을 동일 팹에서 생산할 수 있다.

이 기술을 적용한 차세대 미러비트 오어낸드 제품은 2009년초 양산될 예정이다.

이 기사의 의견 보기

bluemun (ID)

/ 07-11-21 12:25/ 신고

45nm 기술이면 삼성의 NAND플래쉬 공정보다 더 미세 공정 같은데...

mbyoon (ID) / 07-11-21 13:34/ 신고

어차피 지금 생산하는게 아닌 발표한거로만 치면 삼성은 30n죠. 그런데 산화막도 부도체고 질화막도 부도체인데 마치 부도체에 저장해서 특성이 좋아지는것처럼 기사가 되 있네요...

happygump (ID) / 07-11-21 16:45/ 신고

플래쉬 메모리는 노어와 낸드 방식이 있는데 스팬션이 노어쪽의 1위였군요.

joel83 (ID)

/ 07-11-21 17:04/ 신고

미세공정을 위한 기술인가 보군요.

kss8569 (ID)

/ 07-11-21 17:34/ 신고

여기저기서~ 계발중인 메모리 업계..ㅎㅎ 기대해봅니다~

kama136 (ID) / 07-11-21 17:54/ 신고

스팬션의 관련 기술이 대단하군요.

godanhan (ID) / 07-11-21 18:23/ 신고

스팬션하면 미러비트. 미러비트하면 스팬션. 하도 자주 듣다보니 금방 연결되는군요. ㅎㅎ

sky0734 (ID)

/ 07-11-21 19:38/ 신고

스팬션의 미러비트 기술로 플래쉬 특히 노어 쪽은 확실한 1위를 굳히는 것 같습니다.

x8051 (ID)

/ 07-11-21 20:15/ 신고

무슨 기술인지 모르겠군요. @_@; 먼가 발전하는건 역시나 좋은일?입니다.

pg1313 (ID)

/ 07-11-21 20:28/ 신고

45nm 이 이리저리 도입되는군요.
정말 삼성 하이닉스의 독주가 힘든 현실이네요.

ohye701 (ID)

/ 07-11-21 22:20/ 신고

미세공정의 실현이라..

blasty (ID)

/ 07-11-21 22:23/ 신고

소노스 구조가 뭔지 전혀 모르는지라...ㅠㅠ

ho5945 (ID)

/ 07-11-21 23:15/ 신고

질화막이라면... 질소산화물을 막으로 입힌건가요? 그럼 질소가 산소보다 몇배로 더 많으니까 원가절감이 있을지도..ㅎ

tksto3299 (ID) / 07-11-22 0:41/ 신고

점점 더 낮아지는군요. 근데 나노보다 더 작은 단위는 무엇인가요?

y20303 (ID)

/ 07-11-22 1:53/ 신고

활용되는 제품의 크기가 더욱 작아질듯..

moonchild (ID)

/ 07-11-22 7:24/ 신고

기술의 발전을 계속 되어야 한다.

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