스팬션, 소노스 구조의 차세대 아키텍처 미러비트 오어낸드 발표 |
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2007-11-21 11:42
김찬호 前 기자 
press@bodnara.co.kr |
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스팬션은 300mm 웨이퍼에서 45nm 공정기술의 SONOS 구조의 셀을 가진 차세대 대용량 미러비트 메모리 기술을 발표했다.
스팬션은 자사의 미러비트 기술이 적용된 플래시 메모리는 현재까지 20억 달러 이상의 제품을 공급했으며 스팬션 자체의 전체 노어 플래시 메모리 생산량의 약70%를 차지하고 있다고 전하며, 지금까지의 플로팅 게이트 방식의 메모리는 산화막(Oxide)에 데이터를 저장하지만, SONOS 방식에서는 부도체인 질화막(Nitride)에 데이터를 저장하게 되어, 저장된 데이터의 안정성이 더욱 높아지고, 셀 사이즈를 더욱 축소할 수 있는 차세대 기술이라고 밝혔다.
스팬션은 SONOS구조의 미러비트 기술은 45nm 이하 공정에서도 지속적으로 셀 사이즈를 축소해 갈수 있는 기술로 미러비트 기술 기반의 모든 제품을 동일 팹에서 생산할 수 있다.
이 기술을 적용한 차세대 미러비트 오어낸드 제품은 2009년초 양산될 예정이다. |
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