TSMC, 알테라와 공동으로 55nm 임베디드 플래시 공정 기술 개발

2013-04-18 12:42
방수호 前 기자 scavenger@bodnara.co.kr

TSMC와 알테라(Altera)가 55nm 임베디드 플래시(Embedded Flash) 공정 기술 개발을 위해 협력한다는 소식이 전해졌다.

tom's hardware에 의하면 이번 협력은 자동차 및 산업 분야를 비롯해 다양한 곳에 응용 가능한 비휘발성 시스템을 구축하는 다량의 애플리케이션을 구상하기 위해 이루어졌다.

알테라의 공정 기술 개발 담당 부사장인 레다 라조우크(Reda Razouk)는 'TSMC의 55nm 임베디드 플래시를 알테라의 제품 포트폴리오에 추가하면서 공정 기술, 아키텍처, 특정 애플리케이션 IP 등의 디바이스들을 시스템 요구사항에 적합하게 최적화 시키고 있는 알테라의 맞춤 전략이 확대 될 것이다'라고 말했다.

한편 TSMC의 55nm 임베디드 플래시는 이전 세대의 임베디드 플래시보다 컴퓨팅 성능이 향상 되고 게이트 밀도는 10배 증가 되며, 플래시와 SRAM의 셀 크기를 각각 70%, 80% 감소 시킨 점이 특징이다.

이 기사의 의견 보기

마프티

/ 13-04-18 14:04/ 신고

저런쪽은 아직 게이트 간격이 크군요. 기술 자체가 완전히 다른가...

프리스트

/ 13-04-25 10:41/ 신고

비휘발성 메모리 개발은 하고 있는건지..

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