SK하이닉스는 차세대 고사양 모바일 기기에 채용될 수 있는 6Gb(기가비트) LPDDR3(Low Power DDR3) 제품을 개발했다고 30일(水) 밝혔다.
이 제품은 20나노급 기술이 적용됐으며, 저전력과 고용량의 특성을 갖춘 최적의 모바일 메모리 솔루션이다.
이 제품을 4단 적층하면 3GB(기가바이트, 24Gb)의 고용량을 한 패키지에서 구현할 수 있는데, 이 경우 자사의 4Gb 단품으로 6단 적층한 같은 용량과 비교해 동작 전력뿐만 아니라 대기 전력 소모도 30% 정도 줄어들고 패키지 높이를 보다 얇게 구성할 수 있게 된다.
또한 초저전압인 1.2V의 동작전압을 갖춰 모바일 기기가 요구하는 저전력의 특성을 만족시킨다.
속도는 1866Mbps이며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글 채널(Single Channel)은 최대 초당 7.4GB(기가바이트), 듀얼 채널(Dual Channel)의 경우 14.8GB의 데이터를 처리할 수 있다.
특히 이번에 개발된 제품은 하나의 패키지 위에 다른 기능을 하는 패키지를 적측하는 방식의 ‘PoP(Package on Package)’ 구성으로 모바일 기기에 사용될 수 있다.
SK하이닉스 마케팅본부장 진정훈 전무는 “지난 6월, 세계 최초로 고용량인 8Gb LPDDR3를 개발한 데 이어 이번에 20나노급 6Gb LPDDR3 제품을 개발하게 돼 고용량 모바일 제품의 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다” 면서, “특히 고사양 모바일 기기에 최적화 된 메모리 솔루션인 6Gb LPDDR3 기반의 3GB 메모리 솔루션으로 시장을 선도할 수 있게 됐다는데 의의가 있다”고 밝혔다.
3GB LPDDR3 제품의 경우, 내년 상반기부터 고성능 스마트폰을 중심으로 채용이 본격화 될 것으로 예상되며, 2015년까지도 지속적으로 채용될 것으로 전망된다.
SK하이닉스는 지속적으로 모바일 제품의 기술을 고도화하고, 최고 성능을 갖춘 제품을 개발하는 등 제품의 포트폴리오를 다양화 해 급속히 진화하는 모바일 시장에 적극 대응한다는 계획이다.
한편 이 제품은 고객에게 샘플을 공급하기 시작했으며, 내년 초 양산을 목표로 하고 있다.
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