반도체 및 첨단 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 애플리케이션을 위한 웨이퍼 처리 솔루션 선도 기업인 ACM 리서치(ACM Research, Inc., NASDAQ: ACMR)는 자사의 싱글 웨이퍼 고온 과산화황 혼합물(Sulfuric Peroxide Mixture, SPM) 장비가 중국 본토의 주요 비메모리 반도체 제조회사로부터 품질 평가를 받았다고 발표했다. 지금까지 ACM은 13개 고객사에 자사의 SPM 장비를 공급했다. 이 시스템은 ACM 고유의 노즐 설계가 특징으로, SPM 공정 중에 황산 분진(acid mist)의 비산을 방지함으로써, 입자 성능을 개선하고 챔버 예방정비 세정 빈도를 줄이며 시스템 가동 시간을 향상시킨다. 이 장비는 28나노미터(nm) 이하의 기술 노드에서 전공정과 후공정 모두에 대한 습식 식각 및 웨이퍼 세정을 지원한다.
ACM 리서치의 사장 겸 CEO인 데이비드 왕(Dr. David Wang) 박사는 “싱글 웨이퍼 중온/고온 SPM 장비는 300mm 웨이퍼 반도체 양산 제조에서 고객의 과제를 해결하기 위한 ACM의 혁신 노력을 잘 보여준다. 전 세계 고객층에서 이 장비에 지대한 관심을 보이고 있다"고 밝히고 “중온/고온 SPM은 특히 차세대 반도체 디바이스 제조에서 핵심적인 역할을 하는 고온 SPM을 통해 웨이퍼 세정 장비 시장에서 점점 더 비중을 높여가고 있다”고 말했다.
ACM의 싱글 웨이퍼 중온/고온 SPM 장비는 섭씨 90°C의 중저온 황산 세정, 170°C의 고온 황산 포토레지스트 박리, 190°C의 초고온 황산 금속 리프트오프 등 다양한 프런트엔드 및 백엔드 습식 식각 및 세정 공정에 적합하다. 반도체 공정 노드가 발전함에 따라 싱글 웨이퍼 고온 황산 처리에 대한 수요가 크게 증가하고 있다. 이러한 추세로 인해 입자 제어, 챔버 환경 관리 및 황산 온도 안정성에 대한 요구 사항이 점점 더 엄격해지고 있다. 이러한 과제에 대응하기 위해 ACM은 싱글 웨이퍼 중온/고온 SPM 장비에 혁신적인 설계를 도입하여 업계의 진화하는 요구 사항을 충족하는 즉시 배포 가능한 솔루션 공급회사로 자리매김했다. 이 장비에는 다음과 같은 ACM의 독자적 기술들이 통합되어 있다:
최고 혼합 온도가 230℃를 넘지 않고 안정적으로 제어되는 다단계 가열 방식
고온 SPM이 챔버 외부로 튀는 것을 방지하는 SPM 노즐 설계로, 26nm 노드에서 평균 입자 수가 10개 미만인 우수한 입자 제어 성능 달성
싱글 웨이퍼 중온/고온 SPM 장비에는 인라인 화학적 혼합 시스템과 다양한 화학 용액을 수용할 수 있는 구성 가능한 공정 챔버가 장착되어 있다. 또한 이 장비는 ACM의 특허 받은 SAPS 및 TEBO 메가소닉 기술과 원활하게 통합함으로써 유기 오염물 제거 성능을 강화하고 웨이퍼 표면 준비를 더욱 향상시킬 수 있다.
ACM 싱글 웨이퍼 중온/고온 SPM 장비 소개
ACM의 싱글 웨이퍼 중온/고온 SPM 장비는 다양한 습식 식각 공정과 단면 및 양면 세정을 위해 설계되었다. 이 장비는 다양한 화학 물질 및 세정 공정과 호환된다. 필름 손실을 최소화하면서 유기물 결함을 효과적으로 제거하기 때문에, 대부분의 세정 후 및 포토레지스트 습식 박리 후공정에서 탁월한 성능을 발휘한다. 150mm ~ 300mm의 웨이퍼 크기를 지원하는 이 시스템은 4개의 로드 포트, 8 ~ 12개의 챔버로 구성 가능한 설정, 다기능 화학물질 분배 시스템, 자가 세정 챔버를 갖추고 있다.
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