중국 메모리 업체 ChangXin Memory Technologies(CXMT, 창신 메모리) 가 2026년부터 HBM3 생산에 본격적으로 나설 계획이라는 소식이 전해졌다.
관련 보도에 따르면 CXMT는 2026년 기준 전체 DRAM 생산 능력의 약 20%에 달하는 6만장의 웨이퍼를 HBM3 라인에 배정하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다. 이는 범용 D램 중심이던 기존 생산 구조에서 고대역폭 메모리(HBM) 비중을 의도적으로 확대하려는 전략으로 해석된다.
HBM3는 AI 가속기와 고성능 컴퓨팅(HPC)용 GPU에 필수적으로 사용되는 메모리로, 현재 글로벌 시장에서는 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하고 있다. CXMT가 HBM3 생산에 일정 비율의 캐파를 투입할 경우, 중국 내 AI 반도체 공급망을 자국 기술 기반으로 구축하려는 움직임의 연장선으로 볼 수 있다.
다만 업계에서는 CXMT의 HBM3 생산이 초기 단계에서는 수율과 성능, 신뢰성 측면에서 글로벌 선두 업체들과 동일한 수준에 도달하기는 쉽지 않을 것으로 보고 있다. 특히 HBM은 TSV 적층 공정과 패키징 기술 완성도가 중요한 만큼 단기간에 경쟁 구도를 뒤흔들 가능성은 제한적이라는 평가가 나오지만, AI 수요 확대가 이어지는 가운데, 향후 글로벌 HBM 공급 구조에 어떤 영향을 미칠지 주목된다. |
