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TSMC, 북미 기술 심포지엄에서 파운드리 기술 현황 소개

2019-04-23 11:13
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr

TSMC가 파운드리 공정 기술 현황을 공개한다.

TSMC는 보도자료를 통해 4월 23일부터 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열리는 2019 북미 기술 심포지엄(North American Technology Symposium)에서 TSMC의 고급 로직 기술, 전문 기술, 고급 패키징 기술 등을 집중 조명한다고 밝혔다.

TSMC는 올해로 25회째를 맞이한 북미 기술 심포지엄에서 2,000여명 이상의 참가자들을 대상으로 지난 2년 동안 업계를 선도해온 반도체 파운드리 관련 기술들을 소개할 예정이다.

TSMC는 2017년 파운드리 최초의 고성능 컴퓨팅(HPC) 애플리케이션용 고급 Fan-out 패키지(inFo_oS) 양산을 비롯해 5G mmWave 장치 생산용 첫 28nm RF 파운드리 공정을 도입했으며, 지난 해에는 세계 최초로 7nm 양산에 들어가기도 했다. 올해는 세계 최초 7nm 자동차 플랫폼과 7nm EUV 공정 도입, 그리고 5nm 설계 인프라를 완성했다.

TSMC는 북미 기술 심포지엄에서 CEO인 Dr. C.C. Wei의 키노트를 통해 TSMC 파운드리 전문 기술과 디자인 지원 및 제조 우수성에 대한 프리젠테이션을 비롯해 종합적인 모바일, 고성능 컴퓨팅, 사물인터넷, 자동차 플랫폼에 대한 브리핑, 그리고 첨단 FR와 아날로그 기술, 고급 패키징 기술을 소개할 예정이다. 



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