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삼성 파운드리 포럼 2019 개최, 3nm MBCFET 기술 적용한다

2019-05-15 11:12
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr

삼성전자가 반도체 파운드리 로드맵을 업데이트 했다. 

삼성전자는 14일(현지시간) 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2019'를 개최하고 차세대 3나노 GAA 공정과 새로운 고객 지원 프로그램인 'SAFE Cloud'를 소개했다. 


삼성전자는 이미 지난 해 GAA(Gate-All-Around)를 3나노 공정에 도입하겠다고 공개한데 이어 올해 포럼에서는 3GAE(3nm Gate-All-Around Early)의 공정 설계 키트(PDK v0.1)를 팹리스 고객들에게 배포했다고 밝혔다. 3GAE는 이름처럼 3나노 GAA 1세대 공정으로 이후 성능과 전력이 개선된 2세대 공정은 3GAP(3nm Gate-All-Around Plus)로 불리게 된다.

공정 설계 키트는 파운드리 회사의 제조공정에 최적화된 설계를 지원하는 데이터 파일로 이를 활용하면 팹리스 업체가 제품 설계를 보다 쉽게 할 수 있어 시장 출시까지 소요 시간을 단축하고 경쟁력을 높일 수 있다.

삼성전자는 3GAE 공정이 현재 최신 양산 공정인 7나노 핀페(7nm FinFET) 대비 칩 면적을 45% 가량 줄일 수 있으며, 약 50%의 소비전력 감소와 약 35%의 성능 향상 효과가 있을 것으로 기대했다. 



삼성전자는 3나노 공정에서 독자적인 MBCFET(Multu Bridge Channel FET) 기술을 적용한다. MBCFET은 기존의 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA 구조를 한층 더 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 적층하는 방식으로, 성능과 전력효율을 높이는 것은 물론 FinFET 공정과도 호환성이 높아 기존 설비와 제조 기술을 활용할 수 있다는 것이 삼성전자의 설명이다.

또한 삼성전자는 팹리스 고객에게 설계 편의를 제공하기 위해 SAFE Cloud 서비스를 시작한다고 밝혔다.

삼성전자 SAFE Cloud 서비스는 아마존 웹 서비스(AWS), 마이크로소프트(Microsoft), 자동화 설계툴(EDA) 회사인 케이던스(Cadence), 시놉시스(Synopsys)와 함께 진행하며 속도와 보안성이 검증된 클라우드 환경을 제공한다.

팹리스 고객들은 SAFE Cloud 서비스를 통해 삼성전자와 파트너사들이 제공하는 공정 설계 키트(PDK, Process Design Kit), 설계 방법론(DM, Design Methodologies), 자동화 설계 툴(EDA, Electronic Design Automation), 그리고 설계 자산(라이브러리, IP) 등을 이용해 투자 비용을 줄이고 보다 빠르게 반도체를 제작할 수 있다.

이번 포럼에는 글로벌 팹리스 고객과 파트너사 800여 명이 참가해 인공지능(AI), 5G, 자율 주행, 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 시대를 주도할 반도체 기술을 공유했다.



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