PC ´º½º Ȩ Àαâ PC ´º½º

»ï¼ºÀüÀÚ, ¼¼°è ÃÖÃÊ 3³ª³ë ÆÄ¿îµå¸® ¾ç»ê

2022-06-30 15:42
ÆíÁýºÎ press@bodnara.co.kr

»ï¼ºÀüÀÚ°¡ ¼¼°è ÃÖÃÊ·Î GAA(Gate-All-Around) ±â¼úÀ» Àû¿ëÇÑ 3³ª³ë(nm, ³ª³ë¹ÌÅÍ) ÆÄ¿îµå¸® °øÁ¤ ±â¹ÝÀÇ Ãʵµ ¾ç»êÀ» ½ÃÀÛÇß´Ù.

3³ª³ë °øÁ¤Àº ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶ °øÁ¤ °¡¿îµ¥ °¡Àå ¾Õ¼± ±â¼úÀ̸ç, Â÷¼¼´ë Æ®·£Áö½ºÅÍ ±¸Á¶ÀÎ GAA ½Å±â¼úÀ» Àû¿ëÇÑ 3³ª³ë °øÁ¤ ÆÄ¿îµå¸® ¼­ºñ½º´Â Àü ¼¼°è ÆÄ¿îµå¸® ¾÷ü Áß »ï¼ºÀüÀÚ°¡ À¯ÀÏÇÏ´Ù.


»ï¼ºÀüÀÚ´Â 3³ª³ë °øÁ¤ÀÇ °í¼º´É ÄÄÇ»ÆÃ(HPC, High-Performance Computing)¿ë ½Ã½ºÅÛ ¹ÝµµÃ¼¸¦ Ãʵµ »ý»êÇѵ¥ À̾î, ¸ð¹ÙÀÏ SoC µîÀ¸·Î È®´ëÇØ ³ª°¥ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù.

»ï¼ºÀüÀÚ ÆÄ¿îµå¸®»ç¾÷ºÎÀå Ãֽÿµ »çÀåÀº “»ï¼ºÀüÀÚ´Â ÆÄ¿îµå¸® ¾÷°è ÃÖÃÊ·Î ‘ÇÏÀÌ-ÄÉÀÌ ¸ÞÅ» °ÔÀÌÆ®(High-K Metal Gate)’, ÇÉÆê(FinFET), EUV µî ½Å±â¼úÀ» ¼±Á¦ÀûÀ¸·Î µµÀÔÇÏ¸ç ºü¸£°Ô ¼ºÀåÇØ ¿Ô°í, À̹ø¿¡ MBCFET GAA±â¼úÀ» Àû¿ëÇÑ 3³ª³ë °øÁ¤ÀÇ ÆÄ¿îµå¸® ¼­ºñ½º ¶ÇÇÑ ¼¼°è ÃÖÃÊ·Î Á¦°øÇÏ°Ô µÆ´Ù”¸ç, “¾ÕÀ¸·Îµµ Â÷º°È­µÈ ±â¼úÀ» Àû±Ø °³¹ßÇÏ°í, °øÁ¤ ¼º¼÷µµ¸¦ ºü¸£°Ô ³ôÀÌ´Â ½Ã½ºÅÛÀ» ±¸ÃàÇØ ³ª°¡°Ú´Ù”°í ¹àÇû´Ù.

 

¡à ³ª³ë½ÃÆ® ÇüÅÂÀÇ µ¶ÀÚÀûÀÎ MBCFET GAA ±â¼ú ¼¼°è ù Àû¿ë

»ï¼ºÀüÀÚ´Â À̹ø¿¡ ¹ÝµµÃ¼¸¦ ±¸¼ºÇÏ´Â Æ®·£Áö½ºÅÍ¿¡¼­ Àü·ù°¡ È帣´Â ä³Î(Channel) 4°³¸éÀ» °ÔÀÌÆ®(Gate)°¡ µÑ·¯ ½Î´Â ÇüÅÂÀÎ Â÷¼¼´ë GAA ±â¼úÀ» ¼¼°è ÃÖÃÊ·Î Àû¿ëÇß´Ù.

ä³ÎÀÇ 3°³¸éÀ» °¨½Î´Â ±âÁ¸ ÇÉÆê ±¸Á¶¿Í ºñ±³ÇØ, GAA ±â¼úÀº °ÔÀÌÆ®ÀÇ ¸éÀûÀÌ ³Ð¾îÁö¸ç °øÁ¤ ¹Ì¼¼È­¿¡ µû¸¥ Æ®·£Áö½ºÅÍ ¼º´É ÀúÇϸ¦ ±Øº¹ÇÏ°í µ¥ÀÌÅÍ Ã³¸® ¼Óµµ¿Í Àü·Â È¿À²À» ³ôÀÌ´Â Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ±â¼ú·Î ¼Õ²ÅÈù´Ù.

¶ÇÇÑ »ï¼ºÀüÀڴ ä³ÎÀ» ¾ã°í ³ÐÀº ¸ð¾çÀÇ ³ª³ë½ÃÆ®(Nanosheet) ÇüÅ·Π±¸ÇöÇÑ µ¶ÀÚÀû MBCFET GAA ±¸Á¶µµ Àû¿ëÇß´Ù.

³ª³ë½ÃÆ®ÀÇ ÆøÀ» Á¶Á¤Çϸ鼭 ä³ÎÀÇ Å©±âµµ ´Ù¾çÇÏ°Ô º¯°æÇÒ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç, ±âÁ¸ ÇÉÆê ±¸Á¶³ª ÀϹÝÀûÀÎ ³ª³ë¿ÍÀ̾î(Nanowire) GAA ±¸Á¶¿¡ ºñÇØ Àü·ù¸¦ ´õ ¼¼¹ÐÇÏ°Ô Á¶ÀýÇÒ ¼ö ÀÖ¾î °í¼º´É·ÀúÀü·Â ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è¿¡ Å« ÀåÁ¡ÀÌ ÀÖ´Ù.

 

¡à ¼³°è °øÁ¤ ±â¼ú ÃÖÀûÈ­¸¦ ÅëÇÑ ±Ø´ëÈ­µÈ PPA ±¸Çö

»ï¼ºÀüÀÚ´Â ³ª³ë½ÃÆ® GAA ±¸Á¶ Àû¿ë°ú ÇÔ²² 3³ª³ë ¼³°è °øÁ¤ ±â¼ú °øµ¿ ÃÖÀûÈ­(DTCO, Design Technology Co-Optimization)¸¦ ÅëÇØ PPA(Power:¼ÒºñÀü·Â, Performance:¼º´É, Area:¸éÀû)¸¦ ±Ø´ëÈ­Çß´Ù.

»ï¼ºÀüÀÚ 3³ª³ë GAA 1¼¼´ë °øÁ¤Àº ±âÁ¸ 5³ª³ë ÇÉÆê °øÁ¤°ú ºñ±³ÇØ Àü·Â 45% Àý°¨, ¼º´É 23% Çâ»ó, ¸éÀû 16% Ãà¼ÒµÇ¾ú°í, À̾î GAA 2¼¼´ë °øÁ¤Àº Àü·Â 50% Àý°¨, ¼º´É 30% Çâ»ó, ¸éÀû 35% Ãà¼ÒµÈ´Ù.

»ï¼ºÀüÀÚ´Â ¾ÕÀ¸·Î °í°´ ¿ä±¸¿¡ ÃÖÀûÈ­µÈ PPA, ±Ø´ëÈ­µÈ Àü¼ººñ(´ÜÀ§ Àü·Â´ç ¼º´É)¸¦ Á¦°øÇϸç, Â÷¼¼´ë ÆÄ¿îµå¸® ¼­ºñ½º ½ÃÀåÀ» ÁÖµµÇØ ³ª°¥ °èȹÀÌ´Ù.

 

¡à SAFE ÆÄÆ®³Ê¿Í Áö³­ÇغÎÅÍ 3³ª³ë ¼³°è ÀÎÇÁ¶ó/¼­ºñ½º Á¦°ø

°øÁ¤ÀÌ ¹Ì¼¼È­µÇ°í ¹ÝµµÃ¼¿¡ ´õ ¸¹Àº ±â´É°ú ³ôÀº ¼º´ÉÀÌ ´ã±â¸é¼­, ĨÀÇ ¼³°è¿Í °ËÁõ¿¡µµ Á¡Á¡ ¸¹Àº ½Ã°£ÀÌ ¼Ò¿äµÈ´Ù.

»ï¼ºÀüÀÚ´Â ½Ã³ô½Ã½º(Synopsys), ÄÉÀÌ´ø½º(Cadence) µî SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) ÆÄÆ®³Êµé°ú ÇÔ²² 3³ª³ë °øÁ¤ ±â¹ÝÀÇ ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è ÀÎÇÁ¶ó/¼­ºñ½º¸¦ Á¦°øÇÔÀ¸·Î½á, °í°´µéÀÌ ºü¸¥ ½Ã°£¿¡ Á¦Ç° ¿Ï¼ºµµ¸¦ ³ôÀÏ ¼ö ÀÖµµ·Ï ½Ã½ºÅÛÀ» °­È­ÇØ ³ª°¥ °èȹÀÌ´Ù.

»óÄ« Å©¸®½´³ª¹«Æ¼(Shankar Krishnamoorthy) ½Ã³ô½Ã½º ½Ç¸®ÄÜ ¸®¾ó¶óÀÌÁ¦À̼DZ׷ì(Silicon Realization Group) ÃÑ°ý ¸Å´ÏÀú´Â “½Ã³ô½Ã½º´Â »ï¼ºÀüÀÚ¿Í Àå±âÀû·Àü·«Àû Çù·Â°ü°è¸¦ À¯ÁöÇÏ°í ÀÖ´Ù. »ï¼ºÀüÀÚ¿ÍÀÇ GAA±â¹Ý 3³ª³ë Çù·ÂÀº ÇâÈÄ ½Ã³ô½Ã½ºÀÇ µðÁöÅÐ µðÀÚÀÎ, ¾Æ³¯·Î±× µðÀÚÀÎ, IP Á¦Ç°À¸·Î °è¼Ó È®ÀåµÇ¾î, ÁÖ¿ä °í¼º´É ÄÄÇ»Æà ¾îÇø®ÄÉÀ̼ÇÀ» À§ÇÑ Â÷º°È­µÈ SoC¸¦ Á¦°øÇÒ °ÍÀÌ´Ù”°í ¸»Çß´Ù.

Åè º£Å¬¸®(Tom Beckley) ÄÉÀÌ´ø½º Custom IC&PCB ±×·ì ºÎ»çÀå °â ÃÑ°ý ¸Å´ÏÀú´Â “»ï¼ºÀüÀÚ 3³ª³ë GAA ±â¹Ý Á¦Ç° ¾ç»êÀ» ÃàÇÏÇϸç, ÄÉÀÌ´ø½º´Â »ï¼ºÀüÀÚ¿Í Çù·ÂÇØ ÀÚµ¿È­µÈ ·¹À̾ƿôÀ¸·Î ȸ·Î ¼³°è¿Í ½Ã¹Ä·¹À̼ǿ¡¼­ »ý»ê¼ºÀ» ³ôÀÏ ¼ö ÀÖ´Â ¼­ºñ½º¸¦ Á¦°øÇÑ´Ù. ÄÉÀÌ´ø½º´Â ´õ ¸¹Àº Å×ÀÌÇÁ¾Æ¿ô(¼³°è ¿Ï·á) ¼º°øÀ» À§ÇØ »ï¼ºÀüÀÚ¿Í Çù·ÂÀ» °è¼ÓÇØ ³ª°¡°Ú´Ù”°í ¸»Çß´Ù.

ÀÌ ±â»çÀÇ ÀÇ°ß º¸±â
¾Ïµå·¿Ã÷°í / 22-06-30 17:48/ ½Å°í
ÆÄ¿îµå¸® ¾÷°è¿¡¼­´Â 2ÀÎÀÚ À§Ä¡¶ó Àú·± »õ·Î¿î ½Ãµµ¸¦ Çؼ­ ¿ªÀüÀ» ³ë·Áº»´Ù´Â Àü·« ÀÚü´Â ÇÊ¿äÇÑ °Í °°Àºµ¥, 1ÀÎÀÚÀÎ TSMC´Â Áö±Ý±îÁö´Â ÇÉÆê°í¼ö¶ó´Â º¸¼öÀû Á¢±ÙÀ¸·Î ¸¹Àº ¼öÀÍÀ» ²ø¾î¸ð¾Æ¿Ô°í, À̹ø¿¡ »ï¼º ÇÏ´Â °Í º¸°í Àû´çÈ÷ ¹«ÀÓ½ÂÂ÷ÇÒ °ø»êÀÌ Ä¿¼­ ¼º°ø ¿©ºÎ°¡ Áß¿äÇϰڳ׿ä.
´Ð³×ÀÓ
ºñȸ¿ø

º¸µå³ª¶ó ¸¹ÀÌ º» ´º½º
º¸µå³ª¶ó ¸¹ÀÌ º» ±â»ç
·Î±×ÀÎ | ÀÌ ÆäÀÌÁöÀÇ PC¹öÀü
Copyright NexGen Research Corp. 2010