TSMC, 28nm 공정 SRAM 제조 성공 |
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2009-08-25 10:40
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr |
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대만의 반도체 제조사인 TSMC에서 28nm 공정의 64Mbit(메가비트) SRAM의 제조에 성공했다고 발표했다.
TSMC는 보도자료를 통해 업계 최초로 동작이 검증된 28nm 공정의 64Mbit SRAM 제조에 성공했으며, 자사의 28nm 공정은 지금까지는 고성능을 위한 HP(High-Performance)와 저전력을 위한 LP(Low-Power) 옵션밖에 없었으나 이번에 새롭게 미들레인지의 성능과 저전력을 지원하는 HPL이 추가되었다고 밝혔다.
28nm 공정의 HP와 HPL 제조는 High-K 메탈 게이트 방식을 사용하며, 저전력인 LP 방식의 제조에는 실리콘질산화막(SiON) 기술이 들어가 제품 출시와 저비용화에서 유리한 것으로 알려졌다.
TSMC는 28nm LP 공정의 SRAM은 휴대폰이나 모바일 기기와 같은 저비용/저전력에 특화된 시장을 타겟으로, 28nm HP 공정 제품은 CPU, GPU, 칩셋, FPGA, 네트워크, 게임 콘솔, 모바일 컴퓨터 등 성능 위주의 시장을 겨냥할 것이라고 밝혔다.
또한 미들레인지 제품군인 HPL 공정은 휴대폰, 스마트 넷북, 무선 기기, 포터블 기기 등 저전력과 누출 전력이 낮은 쪽을 위해 만들 계획이라고 언급했다.
TSMC의 28nm 공정의 리스크 생산은 2010년 1분기에, HP 공정과 HPL 공정 제품은 각각 2분기와 3분기에 순차적으로 시작될 예정이다.
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