인텔-마이크론, 20nm 공정 128Gb 낸드 플래시 메모리 개발 |
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2011-12-08 10:38
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr |
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인텔(Intel)과 마이크론(Micron)의 합작 회사인 IM 플래시 테크놀로지(IMFT)에서 세계 최초로 20nm 공정 기술의 128Gb MLC 낸드 플래시 메모리를 발표했다.
IMFT가 신규 개발한 20nm 공정 기술에 기반한 128Gb 낸드 플래시는 기존의 64Gb 낸드 플래시와 비교해 2배의 용량 및 성능을 제공한다. 333MT/s의 속도로 ONFI 3.0 표준을 준수하고 있으며 128Gb 낸드 플래시 8개를 사용해 손가락 크기의 패키지로 업계 최초 1Tb(테라비트) 데이터 용량을 구현했다.
인텔과 마이크론은 20nm 공정 기술에 기존의 아키텍처와 다른 혁신적인 신형 셀 구조인 planar 셀 구조를 업계 최초로 채용해 새로운 공정 특유의 문제를 극복하고 이전 세대와 동등한 성능과 안정성을 실현했다고 설명했다. 또한 낸드 플래시 메모리의 제조에 처음으로 HKMG(High-K Metal Gate) 기술을 채용했다고 언급했다.
IMFT는 20nm 공정 기술을 기반으로 한 64Gb 낸드 플래시 메모리의 양산을 이달부터 시작하고 내년에 128Gb로의 전환에 들어갈 것이라고 밝혔다. 128Gb 낸드 플래시 샘플은 내년 1월부터 제공될 예정이며 양산 시기는 2012년 상반기로 알려졌다. |
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