SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 DRAM 개발 사실을 밝혔다.
SK하이닉스에 따르면 2세대 제품은 1세대(1x) 대비 생산성이 약 20% 향상되었으며, 전력 소비도 15% 이상 감축하면서도, 전송속도는 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 구현할 수 있는 것이 특징이다.
이 제품에는 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시키기 위한 '4Phase Clocking' 설계 기술을 적용하였으며, 전력소비 및 데이터 오류발생 개선을 위해 독자적인 '센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술'도 도입했다.
이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장되어있는 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 '센스 앰프'의 성능을 강화하는 기술이다. 공정이 미세화될수록 트랜지스터의 크기가 줄어들어 데이터 감지 오류 발생 가능성이 높아져, DRAM에서는 '센스 앰프'의 역할이 중요한 것으로 평가되고 있다.
SK하이닉스는 이러한 문제를 극복하기 위해 트랜지스터의 구조를 개선하는 한편 데이터 증폭/전달 기능을 하는 회로에 전력 소모가 낮은 내부 전원을 추가해 동작에 필요한 만큼의 전력만을 공급, 불필요한 전력 사용을 방지한 것이 특징이다.
한편, SK하이닉스는 PC와 서버 시장을 시작으로 모바일을 비롯한 다양한 응용처에 걸쳐 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이며, 2019년 1분기부터 공급을 시작해 시장 수요에 적극 대응해 나간다는 방침이다. |
